半导体超晶格相关论文
在一维紧束缚微带和接触库仑相互作用近似下, 利用扩展半导体布洛赫(Bloch)方程研究飞秒激光脉冲激励的太赫兹场驱动的半导体超晶......
通过采用转移矩阵方法求解自旋电子隧穿过程,理论研究了半导体超晶格系统中电子自旋输运的磁电调控行为.结果表明:仅对超晶格系统......
单层过渡金属二硫化物(TMDC)是近年来兴起的重要半导体材料,具有良好的光学和电学性质。与通常的单层材料不同,我们研究了由Mo......
发展了基于步进扫描傅里叶变换红外光谱仪的红外调制PL和PR技术闭，使得系统分析中、远红外波段窄禁带碲镉汞(HgCdTe)半导体PL和......
随着现代电子科学技术的发展,目前电子器件的集成度逐年增高,晶体管的密度也随着摩尔定律达到一个前所未有的高度。现代的电子设备......
电场作用下半导体超晶格和量子阱的光学性质是量子阱光电器件应用的基础.该文对其中的一些问题进行了探讨和研究,并用能带剪裁方法......
激子局域化是半导体超晶格量子阱中的一个普遍现象.一方面是晶体生长方向上,由于引入大的势场调制,使得激子在阱层材料中发生强局......
本研究报告包含了作者在站期间的主要研究成果.其内容可分为三章.在第一章中,我们研究了量子XXZ自旋链在不平行边界外磁场下的严格......
本论文应用Kane模型计算了在外加电场时半导体超晶格中单微带(one—miniband)模型的波函数。并利用此波函数分别计算了较低外电场......
本文共分四章。第一章主要从理论方面介绍了半导体超晶格中的三种电输运方式：微带输运，Wannier-Stark跃迁及顺序隧穿。其中，对我们要......
该论文主要运用传递矩阵理论研究了台阶垒及多势构成的半导体超晶格结构中电子的隧穿输运现象.(1)台阶垒是介于单势垒与非对称双势......
将 M-I-SL 模型推广为 M-I-FSL(金属-绝缘介质-有限半导体超晶格)模型,使其更符合实际.以第Ⅰ类半导体超晶格为例,在 Quinn 模型下......
近日，中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验研究员魏钟鸣、李京波带领的科研团队，在铁掺杂二维硫化锡（Fe-SnS2）晶体的光、......
在科技部重大科学研究计划和国家自然科学基金的支持下，中科院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室谭平恒研究员研究组和英国剑......
中科院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室沈国震与北京科技大学数理学院陈娣领导的一个研究小组,开发出一种仿生柔性人工视......
本文提出热激活辐射过程和Berthelot-型的非辐射复合过程互相竞争的简单模型解释无序半导体超晶格的光荧光随温度变化行为，预言了当......
基于激子基，采用密度矩阵理论研究了太赫兹场作用下半导体超晶格的子带间动力学过程及光吸收谱。在太赫兹场的驱动下，激子作布洛赫振......
半导体超晶格由于其特殊的结构,产生了许多新的量子现象.以GaAs/AlAs结构为例,运用薛定谔方程,结合边界条件,对量子阱现象进行了浅......
建立了两个新的低维量子系统模型--斜磁场作用下的直三角和等腰三角量子阱中电子运动模型.借助庞如莱截面方法对此模型进行了数值......
半导体超晶格与量子阱系指对电子具有一维量子限制作用的多层超薄异质结人工材料,量子微结构泛指对电子具有二维和三维量子约束性......
我们在对Ⅱ－Ⅵ族ＺｎＳｅ／ＺｎＳ和Ⅲ－Ⅴ族ＧａＳｂ／ＡｌＳｂ应变超晶格进行离子束沟道测试中发现，反常退沟道现象与趋晶格的层厚有密切的关系。通常所认为的［１１０］反常退沟道......
采用转移矩阵方法,研究了一维有限超晶格的电子态与透射问题.计算了一维有限超晶格的子带带隙,以及一维完整有限超晶格中电子的透......
在非微扰方案下，通过对由静电场和含时电场驱动的光洙发半导体超晶格的带内相干动力学的数值研究，我们发现ＴＨｚ发射的模的时间积分信号可......
半导体超晶格与微结构是半导体科学技术发展史上的一颗璀璨明珠。它的确立与发展不仅对现代信息科学技术，而且对低维物理，材料科学和......
介绍了间接跃迁的半导体ＡｌＰ与ＧａＰ形成的超晶格，由于零折叠效应，实现了能带由间接带隙向直接带隙的转变，从而增加了带间的光跃迁几率，并推导了......
研究了处于外加高频变变场下的半导体超晶格中两个重叠子带内的弹道电子的运动。我们应半经典的平衡方程途径来决定自发产生的直流......
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室沈国震课题组与解放军总医院教授姜凯开展深入的合作，在前期系列研究成果的基础......
凝聚态物理和材料科学研究现状及发展讨论综述中国科协主办的“青年科学家论坛”第四次活动以“凝聚态物理和材料科学研究现状及发......
1993年,在首批进入国家教委跨世纪优秀人才计划中的42人中,年龄最小的才28岁,他就是南京大学超晶格实验室教授、青年学者张荣。198......
本文利用流体静压方法研究了掺杂弱耦合ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ超晶格中电场畴的形成机制，对于第一个电流类平台区域，我们观察到两种级联共振隧穿过程，即当ｐ≤......
由于非晶态半导体超晶格具有量子尺寸效应及简便的制备方法。因此具有独特的优点，简要综述了非晶态半导体超晶格的制备，光致发光等特......
半导体超晶格国家重点实验室赵建华研究团队近年来在提高（Ga，Mn）As居里温度方面取得了一系列重要进展。最近赵建华研究员和博士生俞学......
黄昆先生是世界著名的物理学家和杰出的教育家,晶格动力学的奠基人和权威,"极化激元"概念的最早阐述者.黄昆的名字是与多声子跃迁......
半导体超晶格的研究是凝聚态物理学中一个极其活跃的前沿和半导体科学技术发展史上一颗璀璨的明珠。它的确立、研究与发展 ,不仅对......
把一维Ｎ重直角势垒结构共振隧穿问题的解析工作推广到以多个势垒为单元任意重复排列的统一模型，并考虑了价带的影响。对单元Ｍ为单势垒......
应用算符的方法及通过朗道能级的分析，得出了二维电子气的能级特性，由此通过态密度，简并度的讨论，研究了半导体超晶格量子阱的原理及其......
据媒体报道，近日，北京理工大学材料学院邹炳锁教授领导研究团队与美国佐治亚理工大学王中林教授合作在一维半导体超品格微米线的制备......
第六次（１９９３）国家自然科学奖获奖项目一等奖（１项）１中国蕨类植物科属系统排列和历史来源秦仁昌二等奖（１８项）２有机砷、锑化合物在有机合成应用中的方......
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员赵建华研究团队与美国加州大学伯克利分校张翔教授等合作，首次在单层过渡......
半导体超晶格物理与器件（１４）彭英才（河北大学电子与信息工程系０７１００２）第四章半导体介观体系的物理介观体系的物理是凝聚态物理中发展得很快的一......
