间接带隙相关论文
研究了Si1-xGex合金半导体中无声子参与光跃迁的产生机制,对由杂质无规分布引起的无声子参与光跃迁给出了一个物理模型。用此模型计算了光跃......
近年来,二维晶体材料因其优越的电气特性,成为半导体材料研究的新方向。继石墨烯、二硫化钼之后,近日,在《自然·纳米技术》杂志上......
由于与硅集成电路工艺兼容的张应变锗薄膜在光电器件如光电探测器、调制器,特别是发光器件中具有潜在的应用前景,使其得到了广泛关......
直流反应磁控溅射法制备了WO3薄膜,薄膜在723K纯N2气中被退火处理。热处理前WO3薄膜为无定形态,热处理后为多晶态。采用透射谱和单谐......
硅基太阳能电池一直是光伏产业发展的主流产品,具有重要的科学研究意义与应用研究价值。众所周知,单晶硅的光学带隙为1.1eV,正好落......
本文结合国家科学基金重大项目“半导体超晶格和微结构”的一部分研究工作(超晶格材料的生长技术,量子阶,超晶格的光学声子模,能带类型......