室温核辐射探测器相关论文
报道了采用富 Cd原料的无籽晶垂直布里奇曼法生长高阻碲锌镉 Cd0 .8Zn0 .2 Te(CZT)单晶体的新工艺 ,对所生长的晶体作了 X射线衍射......
PbI2单晶体是性能优异的室温半导体核辐射探测器新材料。主要介绍了PbI2晶体生长技术及其室温核辐射探测器研究发展的最新动态，综述......
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本文论述了室温半导体核辐射探测器新材料及其探测器的研究发展过程和最新动态,分别介绍了几种主要室温半导体核辐射探测器新材料......
核辐射探测器是实验核物理技术重要的探测元件,在科学研究、核安全、环境监测、核医学、空间飞行、采矿工业等领域发挥着不可或缺......
硒化镉（CdSe）是直接跃迁宽禁带隙的Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料。由于它具有平均原子序数较高,禁带宽度较大,晶体中电子和空穴迁移率较......
硒化镉（CdSe）晶体是一种主要的直接跃迁宽带隙Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，有两种结构：一种是六方结构，6mm点群；另一种是立方结构，（?）3m点群。其中......
硒化镉（CdSe）是直接跃迁宽带隙的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，常温下呈深灰色，具有立方(C6V4点群)和六方（43m点群）两种结构。六方结构的硒化镉晶......
碲锌镉（CdznTe）探测器是目前常温γ射线探测器中最主要的探测器之一，与其他常用的γ射线探测器相比，它可在常温下使用，无需HpGe等半导体......
