垂直布里奇曼法相关论文
碲锌镉晶体以其优异的室温核辐射探测与红外探测性能，受到了越来越多的科研工作者的重视。其中以摩尔比为：0.96:0.04:1的碲锌镉晶体......
分析了磷锗锌(ZnGeP2)多晶合成中的化学反应及其发生爆炸的原因,研究出防止安瓿爆炸的合成新工艺。采用改进的单温区合成法,配合梯......
碘化铅 (PbI2 )的平均原子序数较大 ,碘化铅晶体有较宽的禁带宽度 ,作为一种新型的室温核辐射探测器材料有广泛的前景。本文对碘化......
在合成碘化铅(PbI2)多晶原料和生长PbI2单晶体的过程中,观察到了熔体分层现象,提出了Pb-I相图的修正形式,并据此提出了用富铅原料......
室温下测量了本实验室生长的Cd0.8Mn0.2Te和Cd0.9Mn0.1Te单晶体的法拉第旋转谱。通过提高布里渊区中心三点的能隙值（E1）改进了法拉第......
以多晶碘化铅（PbI2）为原料,采用垂直布里奇曼法进行单晶生长,研究了PbI2单晶的生长特性,并研究了不同生长条件下晶体的宏观形貌、显......
在垂直布里奇曼法(VBM)晶体生长的过程中,坩埚下降速度和晶体生长速度之间的关系对生长出来的晶体质量有很大的影响.本文采用有限......
通过垂直布里奇曼法在富Te环境下生长铟(In)掺杂的CdTe与CdTe0.9Se0.1晶体,CdTe晶体的电阻率达到了10^8Ω·cm,而CdTe0.9Se0.1......
以多晶碘化铅（PbI_2）为原料,采用垂直布里奇曼法进行单晶生长,研究了PbI_2单晶的生长特性,随后对单晶进行真空退火和气氛退火,并测试......
采用垂直布里奇曼法成功制备出尺寸为Φ25mm×70mm的SrI2∶Eu∶Cs晶体,经加工后封装得到尺寸为10mm×10mm×10mm的透......
采用单温区法合成了CdSiP2（CSP）多晶原料,然后采用垂直布里奇曼法生长了大尺寸的CSP单晶。采用扫描电子显微镜、EDS对晶体中光散射颗......
碘化铅（PbI2）晶体的平均原子序数较高，有较宽的禁带宽度，作为一种新型室温核辐射探测器材料有着广阔前景．以高纯Pb和I2单质为原料，采用两......
计算模拟了半导体材料 CdZnTe垂直布里奇曼法(CdZnTe-VBM)单晶体生长过程,分析了 炉膛温度梯度和坩埚移动速率对结晶界面形态和晶......
采用有限元法对探测器材料CdZnTe的晶体生长过程进行了热分析，研究了不同因素对生长过程中固液界面形状的影响，模拟结果表明，当坩埚下......
PbI2单晶体是性能优异的室温半导体核辐射探测器新材料。主要介绍了PbI2晶体生长技术及其室温核辐射探测器研究发展的最新动态，综述......
无机钙钛矿材料溴铅铯(CsPbBr_3)由于其独特的物理化学性质,受到了各个领域的广泛关注。其中最令人关注的是其作为高能射线探测器......
以高纯(6N)Ge、Zn、P单质为原料,按化学计量比并富P 0.1%~0.3%配料,在特殊设计的密封安瓿中,采用改进的两温区气相输运法(MTVM)和......
利用垂直Bridgman法成功生长了Hg3-3xIn2xTe3（MIT）（x=0.5）单晶体,并用XRD,RO-XRD及霍尔测量对晶体的结晶质量及电学性能进行了研究.结......
GaInSb作为典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,由于其电子迁移率高、带隙窄等优点,可广泛应用于探测器、激光器、光电通讯、集成电路......
研究了一种新型近红外光电探测材料碲铟汞（MIT）晶体，利用垂直Bridgman法成功生长了MIT单晶，并采用X-ray衍射分析、UV-NIR-IR光谱分析及......
利用垂直Bridgman法生长了HginTe单晶体，并采用X射线衍射分析、FT—IR光谱分析对晶体的形态结构及红外透过性能进行了检测，结果表明......
采用垂直布里奇曼法,成功生长出大直径Hg3In2Te6（Φ=30mm）晶体。通过傅立叶红外透射光谱测试了晶锭不同部位的红外透过率,并利用X射......
硒铟锂(LiInSe2,LISe)晶体在长波红外激光领域有重要应用价值。目前高质量、大尺寸LISe晶体的稳定生长仍然面临挑战,通过气氛退火......
采用改进的垂直布里奇曼（MVB）法并引入籽晶生长技术，成功生长出直径60mm，单晶体积超过200cm^2的CdZeTe（CZT）晶锭。根据CZT晶片在近红外（NI......
采用改进的垂直布里奇曼（Bridgman）法自发成核生长AgGaS2晶体,在生长初期对生长安瓿籽晶袋进行上提回熔,生长出外观完整、无裂纹的大......
以高纯Hg、In、Te单质为原料，在摇摆合料炉中成功地合成了HgInTe多晶原料，并且利用该多晶原料，在特殊设计的坩埚中，成功地生长了HgInTe......
在高纯ZnGeP2多晶批量合成基础上,采用垂直布里奇曼法生长出尺寸（40~50）mm×140 mm的高品质单晶。切割出多种6 mm×6 mm&#......
采用垂直布里奇曼法（VB）生长CdMnTe晶体，由于生长温度高、堆垛层错能低、热应力大等因素，晶体中存在大量孪晶、杂质、夹杂相等，限制其在......
分析了利用垂直布里奇曼法生长碲锌镉晶体的工艺条件,如坩埚的材质和形状、炉体温场、固液界面形状、生长速率以及采用籽晶等生长......
Cd1-xMnxTe晶体材料是一种稀释磁性半导体材料（Diluted Magnetic Semiconductors，简称DMS）。它是由于磁性过渡族金属离子Mn2+部分取代......
Cu单晶在中子和X射线单色器及激光核聚变靶材等领域有重要应用前景。本文采用自制的硅钼棒单晶生长炉和特制的镀碳石英生长坩埚,采......
碘化铅（PbI2）晶体禁带宽度大（Eg=2.32eV）,平均原子序数高(Zavg=63),密度大（p=6.2g/cm3,）,是一种新型的宽禁带室温核辐射探测器材料。PbI2......
采用垂直布里奇曼法（VB法）生长2英寸GaSb单晶,分析了GaSb多晶产生的原因,即GaSb原料与覆盖剂中残留水分发生化学反应生成氧化镓残渣,......
用于激光二极管（LD）和发光二极管（LED）的GaAs晶片,要求其具有低的位错密度（EPD）。为了获得低位错密度的GaAs晶片,必须先得到低位错密度的......
1 碲锌镉单晶的用途红外探测器的量子效率与选用的红外敏感材料密切相关.与锑化铟(InSb)、碲化铅(PbTe)、Ⅲ-V族半导体量子阱及氧......
采用垂直布里奇曼法(VB)生长出直径为55mm、低位错密度、结构完好的碲锌隔单晶(Cd0.955Zn0.045Te).通过位错腐蚀坑密度、傅立叶红......
