密勒效应相关论文
传统的两级PFC变换器在实现宽范围输出电压时，即使前级Boost PFC和后级DC／DC变换器独立工作时有良好的稳定性，但因前后级之间的相互影......
为解决由器件驱动信号不一致引起的多个IGBT串联电压不均衡问题,以实现串联IGBT在大功率高电压场合中的应用,笔者结合功率侧和栅极......
以最基础的阻容耦合放大器为例,将'波特图'用于表达放大器的频响问题剖析、归纳、分析的方法简单明了化.......
对低压UDMOSFET的结构设计提出了要以提高品质因数为指向的思想，分析了对其产生影响的一些相关因素，如特征电阻和击穿电压之间的平衡......
采用台积电（TSMC）0．1gum标准RFCMOS工艺进行仿真验证；改进了器件的噪声模型，给出了在功耗和阻抗匹配条件下噪声性能优化的设计方法。在......
叙述了固态调制器过压和欠压状态的特点，伏安特性曲线和负载线在工程设计中的重要性。介绍了160个IGBT开关管组成的串联开关调制器......
由于金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）存在开关速度快、驱动容易等特点，故在变流电路中大量使用，但由此而产生的电磁干扰也越来越......
为了满足EMC要求,通常需在机载二次DC/DC的输入端并联大容量电容,导致开机瞬间形成很大的浪涌电流,从而引起系统异常。常规的抑制......
介绍了MOS管的电路模型、开关过程、输入输出电容、等效电容、电荷存储,及其对MOS管驱动波形的影响和驱动波形的优化设计实例。......
普通光电耦合器由于存在密勒电容,故极易受密勒效应影响,造成数据传输的时效性较差,将光耦的光电三极管集成在一个级联电路中,级联......
IGBT的门极驱动电路影响IGBT的通态压降、开关时间、开关损耗、承受短路电流能力等,决定了IGBT的静态与动态特性。针对IGBT在开通......
针对实际应用中Power MOSFET开关工作状况与现有文献的描述有很大不同,使用不当易造成器件的损坏和设备的崩溃这一现象,在应用条件......
期刊
从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发,对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较深入分析。从实际应用的角度,对功率......
为了抑制机械结构的受迫振动，在结构表面贴上压电片并采用电阻负电容分流电路进行压电被动控制，通过选择合适的分流电路及其电路参数......
