应变锗相关论文
随着信息技术日新月异的的发展以及“大数据”、“万物互联”等概念的提出,当今社会的信息量正呈现爆炸式的增长态势。海量信息的......
应用胡克定律，建立了单、双轴张应力作用下应变锗在任意面内沿〈001〉、〈110〉和〈111〉方向的应变张量模型．根据线性形变势能理论，......
采用第一性原理方法研究了沿(001)、(101)和(111)面施加双轴拉伸应变下锗能带退简并行为。研究表明,布里渊区价带顶Γ点退简并行为......
采用高迁移率沟道材料,是提高MOSFETs器件性能、延续摩尔定律的重要手段之一。锗(Ge)和应变Ge材料比传统硅(Si)材料具有更高的载流......
近年来,基于传统硅工艺的发展出来的集成电路产业逐渐遇到了瓶颈,一直指引着集成电路发展方向的摩尔定律也面临着不再有效的尴尬境......
应变Ge材料因其载流子迁移率高,且与硅工艺兼容等优点,受到大家越来越广泛的关注,已成为硅基CMOS研究发展的重点和热点。本文基于K......
锗材料的电子迁移率与空穴迁移率都比硅材料的高，而且锗工艺与标准硅工艺兼容。同时在室温下，锗材料导带底直接带与间接带之间相差13......
