辐射复合相关论文
有机-无机杂化钙钛矿由于其高载流子迁移率、高光致发光量子产率（PLQY）、可调节带隙和窄发射宽度等特性而成为高性能发光二极管（LED）的......
本文介绍了纳米ZnO具有体材料所不具备的表面效应和量子尺寸效应，从而产生了许多优异的光、电、磁等方面的性质，在光通讯、光存......
发光材料的应用领域涵盖了照明、显示、医疗、交通等各个方面，与人类的日常生活息息相关。不同的发光材料拥有不同的发光机理和发光......
采用等离子体增强化学气相沉积技术,通过改变CO2流量制备了不同氧含量的非晶氧化硅薄膜。利用紫外可见吸收谱、傅里叶红外吸收谱和......
设计了具有高量子效率的发光二极管(LED)芯片。通过采用Mg掺杂的AlInN-InGaN-AlInN作为LED的电子阻挡层,减小由极化引起的静电场,......
设计了InGaN/GaN超晶格垒层替代p-GaN和n-GaN附近传统GaN垒层的InGaN/GaN多量子阱(MQW)发光二极管(LEDs)结构。通过数值方法模拟出......
研究了热退火对飞秒激光脉冲在空气中微构造的黑硅材料的光致发光（PL）时间分辨光谱和发光强度衰减性质的影响,分析了退火后黑硅材料......
光伏器件中光生激子输运过程各种本征逆向损耗所导致的Shockley-Quisser效率极限是其低成本、广泛应用瓶颈,例如基尔霍夫辐射损耗......
原子结构和原子光谱以及各种碰撞过程是原子物理学研究领域中一个重要的研究方面，它在解释和预言X射线激光的发射机制、分析实验室......
电子与离子碰撞激发和复合截面以及相应的速率系数的理论计算在天体物理、等离子体及X激光的研究中非常重要，另外对辐射复合过程中......
禁戒跃迁广泛地存在于各种天体，实验室等离子体中.禁戒跃迁在等离子体电子温度，电子密度诊断方面有着重要的应用.本工作利用基于Mult......
辐射复合是高离化态离子与自由电子碰撞过程中最重要的相互作用之一，它不仅为现存的碰撞理论和原子结构计算提供了极佳的测试环境，而......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
辐射复合过程在超组态碰撞辐射(SCROLL)模型中真实模拟非局域热动力学平衡(non-LTE)高Z材料Au激光等离子体M带谱5f-3d跃迁中各种复......
期刊
基于Dirac-Slater自洽场方法,计算了Bi79+离子从低能到高能的光电离截面以及其逆过程Bi80+的辐射复合截面; 分析了Kramers公式的适......
通过将a-Ge∶H/a-SiNx多层膜进行氧化,制备了nc-Ge/SiNx多层膜。观察到了室温下的强烈可见光发射,发光波长为500nm。通过分析,排除......
在有机场致发光中,能带模型及分子理论从20世纪就存在尖锐的矛盾.在分层优化方案中,经SiO2加速后的电子能量可以到达10 eV,这足以......
基于Dirac—Slater自洽场方法，文中计算了Bi^79+离子从低能到高能的光电离截面；研究了半经典类氢近似Kramer公式的适用性；考察了多极......
文章综述了纳米结构的氧化锌半导体薄膜在室温下自由激子的自发辐射以及由自由激子引起的受激发射的特性,阐述了在不同激发密度下......
在FAC程序包中碰撞辐射模型的基础上，模拟出了L壳层的类Li氧等离子体的X射线辐射光谱，其中包括了单、双和三离子模型。经过分析得出，......
以InGaN材料作为有源区制备的氮化物基发光器件,其发光波长可以覆盖整个可见光范围,具有丰富的市场需求与广袤的应用前景,如发光二......
研究了Ga2O3/Al2O3膜氨化反应自集结制备GaN薄膜的光致发光特性,讨论了发光机制以及生长条件对其光致发光特性的影响.样品的荧光光......
在惯性（磁）约束聚变（ICF/MCF）、激光等离子体物理、X射线激光、天体物理等涉及等离子体物理的研究中，准确的温度信息是等离子体辐射输运......
本文在偶极近似下,采用准相对论扭曲波近似方法系统得计算了10种类氦离子辐射复合到2P子壳层中发射光子的各向异性因子、角分布和......
中高层大气中的金属原子层可以被共振荧光激光雷达探测到,因而成为了探测空间大气相互作用区域的良好示踪物。中性金属原子通常被......
利用交流(a.c.)小信号法对GaN蓝光发光二极管(LEDs)的电容-电压特性进行了研究,观察到了GaN蓝光LEDs中的负电容现象,并且测试频率......
在简介半导体发光二极管的辐射复合基础上，详细讨论了包括Ⅲ—Ⅴ族、Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料和多孔硅(PS)等新发光材料在内的各种......
在5.6K和300K温度下,Ga N基量子阱蓝光LED的光致发光谱表现出不同的发光特性。分析结果表明：5.6K温度下,量子限制斯塔克效应是Ga N......
因其诸多优越的性质,胶体量子点(QDs)技术在过去30年里迅猛发展,逐渐应用于生产、科研中的各个领域。而II-VI族半导体量子点材料具......
激光诱发硅太阳能电池产生载流子,由于少数载流子的复合而发射红外辐射.基于一维载流子传输方程,建立了调制激光诱发PN结少数载流......
太阳能是最具发展潜力的新能源。光伏发电是解决能源危机，实现能源可持续发展的重要途径之一。硅太阳能电池是当今市场的主流产品，其......
锗材料的电子迁移率与空穴迁移率都比硅材料的高，而且锗工艺与标准硅工艺兼容。同时在室温下，锗材料导带底直接带与间接带之间相差13......
虽然利用量子相干可以消除半导体太阳能电池中单能级电子空穴对的复合,但对太阳能谱利用带宽非常有限。理论上采用分光镜分离太阳......
