辐射复合相关论文
有机-无机杂化钙钛矿由于其高载流子迁移率、高光致发光量子产率（PLQY）、可调节带隙和窄发射宽度等特性而成为高性能发光二极管（LED）的......
基于Dirac-Slater自洽场方法,文中计算了Bi离子从低能到高能的光电离截面;研究了半经典类氢近似Kramer公式的适用性;考察了多极效......
本文介绍了纳米ZnO具有体材料所不具备的表面效应和量子尺寸效应，从而产生了许多优异的光、电、磁等方面的性质，在光通讯、光存......
发光材料的应用领域涵盖了照明、显示、医疗、交通等各个方面，与人类的日常生活息息相关。不同的发光材料拥有不同的发光机理和发光......
对不同Ｓｂ掺杂浓度Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ≈０３８）样品在３９—１１５Ｋ的温度范围内进行了光致发光实验测量，观察到与局域激子、带到带和施主受主对有关的辐射复合过程．并用......
本文首次报道了在腐蚀图形的（３１１）Ａ衬底上，一种新型三角形点结构的ＭＢＥ生长及其量子阱限制能量的横向变化研究．原子力显微镜三维图象清晰地显示......
结合实验中观察到的光激发电荷畴现象 ,提出光激发电荷畴理论模型描述高倍增 Ga As光电导开关的瞬态特性 ,讨论了高倍增 Ga As光电......
用射频磁控反应溅射方法,在高纯 N_2、Ar(纯度均为99.999%)的气氛中,以高纯 AI 为靶材,成功地制备了 AIN 薄膜。研究了不同气体组......
经过纽约州立大学一个研究小组的努力,GaSb基连续波激光二极管的发射波长从3.1μm扩大到3.36μm。这种激光器光谱范围的增大,就可......
采用软件理论分析的方法对选择性p型掺杂量子阱垒层在InGaN双波长发光二极管(LED)中的光谱调控作用进行模拟分析.分析结果表明,选......
采用等离子体增强化学气相沉积技术,通过改变CO2流量制备了不同氧含量的非晶氧化硅薄膜。利用紫外可见吸收谱、傅里叶红外吸收谱和......
应变锗材料具有准直接带特性,而且与标准硅工艺兼容,成为实现硅基发光器件重要的候选材料之一.本文基于van de Walle形变势理论,计......
设计了具有高量子效率的发光二极管(LED)芯片。通过采用Mg掺杂的AlInN-InGaN-AlInN作为LED的电子阻挡层,减小由极化引起的静电场,......
设计了InGaN/GaN超晶格垒层替代p-GaN和n-GaN附近传统GaN垒层的InGaN/GaN多量子阱(MQW)发光二极管(LEDs)结构。通过数值方法模拟出......
研究了热退火对飞秒激光脉冲在空气中微构造的黑硅材料的光致发光（PL）时间分辨光谱和发光强度衰减性质的影响,分析了退火后黑硅材料......
采用数值模拟的方法研究了具有相同的平均In组分,但In组分的分布不同的3个紫色InGaN/GaN单量子阱样品的光谱特性。通过分析样品的......
光伏器件中光生激子输运过程各种本征逆向损耗所导致的Shockley-Quisser效率极限是其低成本、广泛应用瓶颈,例如基尔霍夫辐射损耗......
金属卤化物钙钛矿半导体既在光伏器件研究中获得巨大进展,又在发光应用中体现出明显优势。金属卤化物钙钛矿半导体的荧光转化效率......
本文研究细长电加热体在圆筒形半透明介质中的温度响应，通过对控制非稳态导热与辐射复合传热过程的积分-微分方程直接进行数值求解，......
复合制冷技术是空间制冷技术的一个发展趋势,它是一种将多种制冷形式相结合的制冷技术。在复合制冷特别是机械/辐射复合制冷技术......
采用微波等离子体化学气相沉积(MW-PCVD)和直流热阴极辉光放电等离子体化学气相沉积(DC-PCVD)两种方法相结合,制备出一种吸收辐射......
一、界面复合速度的测量: 1) 原理: 图1是GaAs-Al_(0.3)Ga_(0.7)As DH结构的示意图。注入到p-GaAs层内的少数载流子(电子)的寿命......
很多人在SiC中已观察到可见和近红外区的多种型式的光致发光。 用石墨坩埚在1550℃硅熔液中已生长出β-SiC晶体。石墨坩埚有内壁......
在最近三年内,发光二极管材料和封装技术的进步使发光灯和显示器得到了新的较大的进展。现把其中大部分工作汇集为如下三个方面。......
一、引言理论上证明,在任何温度下,红外量子探测器的最大D_λ~*由下式给出:D_(λ(最大))~=ηλ/2hc(A/gth)~(1/2)(1)这里D_λ~*—......
由测量Al_(0.12)Ga_(0.88)As-Al_(0.47)Ca_(0.53)As双异质结构的量子效率,确定有源区及其界面的有效非辐射载流子寿命。由有效非辐......
本文分析掺杂浓度对于PbTe突变结的R_oA乘积所发生的影响。针对77K、200K和300K等温度进行了计算。考虑扩散电流(辐射复合和Auger......
用4K光致发光研究了掺Sn分子束外延GaAs中Sn原子的占位.结果表明在固定As_4/Ga束流比下,高温生长会引起 GaAs:Sn外延层中 Sn受主态......
对硅中新施主特征发光谱K线(hv=0.902eV)的顺磁共振研究表明,它的发光中心是分子型等电子中心,发光跃迁是两个S=1/2的电子和空穴构......
本文描述1MeV电子辐照GaP(N)LED中辐照缺陷及其对光电性质的影响。用EL光谱、CL光谱和光电流谱等为研究技术,发现电子辐照使发光效......
本文报导了用光致发光和光声光谱方法研究不同掺磷非晶硅的辐射复合和非辐射复合过程。试验结果表明随着掺磷量增加,掺磷非晶硅光......
首次研究了短周期超晶格中与浅受主有关的发光。测得的杂质束缚能与最新的理论计算结果符合很好,表明相邻阱间的强耦合对杂质束缚......
报道了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ非对称耦合双量子附Ｐｉｎ结构在不同温度下的光荧光谱，观察到宽附与窄阱重空穴激子峰荧光强度随温度上升而较快下降的不同变化关系......
In order to detect low energy (...
本文给出了辐射复合过程中出射光子的角分布和极化度的计算公式，其中包含了电磁多极跃迁及其关联的贡献。我们在全相对论框架下......
国内外有关复合因素暴露对机体的损伤及其作用机制的研究报道很少。近年来蛋白质组学技术的飞速发展，为其研究提供了新的思路和......
本文阐述了含纳米硅薄膜发光的QCLC模型机理,即光激发仍然发生在纳米硅粒子内部,而辐射复合则发生在纳米硅粒子的表面或外部(......
双电子复合(DR)是电子—离子碰撞的基本过程之一，在等离子体研究中具有重要的地位。诊断等离子体的状态依赖于双电子复合的截面以及......
GaN基Ⅲ族氮化物半导体材料和器件是当前科学研究和产业发展的重点。GaN基发光二极管(LED)、GaN基半导体激光器(LD)已经在固态照明......
本文利用Maxwell方程组所满足的规范变换条件,考虑到电场的有源无旋性和磁场的有旋无源性,通过求解自由辐射场方程,说明了辐射场波......
原子结构和原子光谱以及各种碰撞过程是原子物理学研究领域中一个重要的研究方面，它在解释和预言X射线激光的发射机制、分析实验室......
