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本文通过在GaAs(100)单晶衬底上MBE生长GaAs过程中形成的RHEED衍射图样,对GaAs薄膜的表面形貌进行研究。分析GaAs表面粗糙和生长时......
对用于分子束外延（MBE）中的反射式高能电子衍射仪（RHEED）的工作原理以及RHEED衍射强度振荡在测量外延生长速率的应用进行了详尽的阐述；......
报道了间接测定InAs生长速率的方法.通过设置不同Ga源温度,固定In源温度;和固定Ga源温度,设置不同In源温度,在GaAs（001）衬底上生长Ga......
