悬浮区熔法相关论文
采用高射频感应加热法以及光辐射加热悬浮区熔法分别制备了Nd2PdSi3多晶和单晶样品,并对比研究了它们的磁性能。研究得出:多晶样品......
近年来，以单晶硅为代表的高科技附加值材料及其高速发展的相关高技术产业，成为当代信息技术产业的支柱，并使信息产业成为全球经济发展......
针对悬浮区熔法生长较大直径的单晶硅时,单晶硅外部的轴向温度梯度比内部温度梯度大很多,从而导致硅单晶径向电阻率不均匀及生长裂......
用超高温度梯度真空悬浮区熔定向凝固法制备了 TbDyFe超磁致伸缩合金,研究了TbDyFe合金的晶体生长方式、轴向择优取向和磁致伸缩性......
各向异性是晶体材料的最基本的特性。由于晶体排列长程有序,导致晶体材料的一些物理性能呈现各向异性的特征。其中氧化腐蚀也表现......
<正> 1. 前言对任何半导体材料,当从原材料熔体制造单晶时,至少要考虑下列各种条件。即材料熔体的保持和搅拌,确保拉制点附近的温......
