生长方法相关论文
ZnO半导体材料具有光学、电学、磁学等性能,是制备多功能器件的理想材料。ZnO稳定p型的控制机制和室温铁磁性的产生机理是限制该材......
经过长期的生存竞争和自然选择，动物和植物进化出了与环境相适应的各种独特功能。随着近代显微成像技术的发展，人们发现在这些动植物......
ＢａＴｉＯ３晶体新的生长方法，即感应加热三温区溶质传输熔剂法。其要点使高温熔体分为三个温区，坩埚顶部为生长区（Ａ区），温度最低，坩埚底部为溶解区（Ｃ区......
长期来许多人都致力于生产一种方形硅晶体用于光伏电池,但没有一种方法比得上莫托洛拉法成功。此方法所生产的基本上都是方形单晶......
利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱材料。利用该材料制作出的应变量子阱列阵半导体激光器准连续(500μs，100Hz)输......
近年来，以单晶硅为代表的高科技附加值材料及其高速发展的相关高技术产业，成为当代信息技术产业的支柱，并使信息产业成为全球经济发展......
通过Ce,Re:YAG单晶替代荧光粉与蓝光芯片产生白光是近几年发展起来的新方法。本文对Ce,Re:YAG单晶的主要制备方法进行了说明。综述......
大尺寸有机晶体在太赫兹波产生、中子探测、微波激射等多个关系国计民生、涉及国家安全的领域具有重要应用前景。但大尺寸有机单晶......
ＣｕⅢⅥ２族系列的黄铜矿型半导体化合物可用于光电装置，ＣｕＩｎＳｅ２是ⅠⅢⅥ２族的一个成员，其带隙能为１ｅＶ，光吸收系数较大，有希望成为潜在的太阳能......
研究了在GaAs(111)衬底上生长的六角相GaN的极性的相关关系.在高V/Ⅲ比的条件下用MOVPE和MOMBE方法生长的GaN的极性和GaAs衬底的极......
成果描述：本发明涉及一种生长高晶体质量高阻GaN外延层的方法。本发明通过在蓝宝石衬底上预沉积低温AIN并退火处理（简称为“AIN预处......
回顾了GaN体单晶材料的发展历程并介绍了研究现状。主要讨论了HVPE法和气相传输法等气相生长方法，以及HNPSG、助溶剂法、氨热法、提......
量子级联激光器不同于传统P-N结半导体激光器,是一种基于子带间跃迁的新型激光器。通过对量子级联激光器的工作原理、制备方法以及......
期刊
本文简要地叙述了有关磁性材料单晶的一些生长方法,并叙述了在保证质量条件下缩短周期的方法。......
2012年2月28日，《自然一通讯》杂志在线发表了中科院金属所沈阳材料科学国家（联合）实验室在石墨烯制备方面取得的一项新突破，他们通过......
综述了几种较为成功的适合于工业化大规模生长及科研应用的GaAs材料的生长工艺,如液封直拉法、水平布里支曼法、垂直梯度凝固法/垂......
本文综述了含有稀土元素的激光晶体－稀土激光晶体在固体激光材料中所处的重要地位、发展现状和主要的稀土激光晶体的生长方法和特性......
针对取得较好传感器技术而进行的基础研究的一个关键方面是改进红外焦平面阵列用的碲镉汞(HgCdTe)材料。由于HgCdTe包括的红外波......
碲锌镉单晶体是近年发展起来的一种性能优异的三元化合物晶体材料，具有良好的光电性质，被广泛用于制作核辐射探测器、红外探测器外延......
阐述了单晶光纤的性质，生长方法及其在晶纤激光器，非线光学，光纤传感器等方面的应用，介绍了国内外发展概况。......
中、远红外波段黄铜矿类半导体晶体磷化锗锌(ZnGeP2,ZGP)非线性系数、热导率、光损伤阈值高,在中、远红外波段的频率转换方面有广......
分别采用K2O助溶剂提拉法和富锂提拉法生长了近化学计量比LiNbO3晶体.比较了两种方法生长的晶体紫外吸收边和红外吸收谱的差别,光......
蓝宝石晶体由于良好的导热性、透光性、化学稳定性,越来越受到人们的广泛关注。文章介绍了目前蓝宝石晶体生长的主要方法,讨论了蓝......
经过半个多世纪的发展,蓝宝石晶体(Al2O3)依据其高强度、高硬度,耐高温、耐磨擦、耐腐蚀,透光性能好、电绝缘性能优良等一系列优良......
介绍了９０年代以来，光学有锗晶体生长方法的新进展。着重介绍了ＶＧＦ法制备锗单晶、铸造法制备锗多晶的工艺和装置。简单比较了不同方法制备......
