抗闩锁相关论文
研究了部分耗尽绝缘体上的硅(PDSOI)SCR结构ESD特性，提出了一种新的SCR结构，并测试出了其ESD，1-V特性和抗闩锁性能。该结构通过采......
本文介绍了星载计算机的抗辐射加固设计技术,以型号卫星为背景,从系统设计、CPU板设计、抗闩锁、三模冗余、软件加固设计等方面讨......
该文分析ＣＭＯＳ集成电路中寄生可控硅结构的触发机理，介绍了ＣＭＯＳ电路抗闩锁度的一种具体测试标准及电分析方法，并对两种具体的ＣＭＯＳ电路的抗闩锁度进......
阐述了CMOS芯片内部产生“闩锁”效应的机理及其危害;提出了一种CMOS芯片外围保护电路的设计方法,目的在于尽量避免CMOS芯片发生“......
通过对三种ＣＭＯＳ Ｃ４０６９电路抗闩锁灵敏度、抗静电敏感度测试的研究和比较，提出高可靠性电路的质量评估。除对器件功能参数（直交流参数）高低温参......
高压(high-voltage,HV)集成电路已经广泛应用于开关电源、电源管理、汽车电子产品以及驱动电路等应用上,这使得越来越多便携式消费......
学位
静电放电(ESD)对集成电路(IC)及电子产品的影响日益不容忽视。随着Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺的快速发展与高压IC应用领域的扩大,......
学位
高压(high-voltage,HV)IC集成电路在半导体行业中占据着重要的地位,被广泛应用于工业马达、汽车电子和显示器驱动等领域。在高压IC......
研究了一种新的IGBT发射极元胞,并给出其设计方法。该元胞在不影响单位面积有效沟道宽度的情况下,将源衬底的P+区与源N+区并排垂直......
新型功率器件——绝缘栅双极型晶体管(IGBT)广泛应用于智能电网、电动汽车、高速铁路、家电产品和工业控制等领域,目前全球市场的I......
单芯片智能功率模块是将各种高、低压电路,例如逻辑控制电路、芯片保护电路、输出电路以及高压横向绝缘栅双极型晶体管等集成在同......
闩锁效应是CMOS电路中最为严重的失效机理之一,在Vdd和Vss之间产生大电流,从而造成电路失效,严重的会造成电路自我烧毁。介绍了闩......
