部分耗尽相关论文
研究了部分耗尽绝缘体上的硅(PDSOI)SCR结构ESD特性，提出了一种新的SCR结构，并测试出了其ESD，1-V特性和抗闩锁性能。该结构通过采......
研究了 0 .5μm SOI CMOS器件和电路 ,开发出成套的 0 .5μm SOI CMOS工艺 .经过工艺投片 ,获得了性能良好的器件和电路 ,其中当工......
基于抗辐照加固0.35μmPDSOI CMOS工艺制作了RF NMOS器件,研究了电离总剂量辐照对不同体接触结构、栅结构器件性能的影响。在其静......
针对辐射前后环栅与条栅结构部分耗尽绝缘体上硅(SOI,Silicon On Insula-tor)器件关态电流的变化展开实验,研究结果表明辐射诱使关......
通过模拟对ON、OFF、TG三种偏置下PD SOI NMOSFET的总剂量辐照效应进行了研究。模拟发现正沟道的最坏偏置是ON偏置，背沟道的最坏偏......
采用10keVX射线研究了部分耗尽S01MOSFETs的总剂量辐射效应．实验结果显示，在整个辐射剂量范围内，前栅特性保持良好；而nMOSFET和pMOSFET......
SOI工艺因其独特的器件特性而被物联网时代所追捧。相对精准的器件模型显得愈加重要。这是在SOI器件特性和模型理论的基础上,采用P......
为抑制短沟道效应和解决载流子传输效率低的问题,提出了部分耗尽异质环栅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）结构（DMSG）,并建立了器......
对部分耗尽SOI CMOS静态存储器的位线电路进行了模拟和研究,详细分析了BJT效应对SRAM写操作过程的影响,给出了BJT效应在SRAM写操作......
文章描述了PD SOI器件的体接触失效过程,介绍了一种PD SOI器件一级近似体接触电阻计算方法;提出了一种实用的体接触电阻及其版图寄......
在SOI SRAM锁存器型灵敏放大器中，设计了一对小的下拉管，用来动态地释放交叉耦合反相器中N管上的体电荷。这种动态体放电的方法有效......
针对抗辐照SOI PMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性......
针对部分耗尽结构绝缘体上硅(silicon-on-insulator,SOI)器件低频噪声特性展开实验与理论研究.实验结果表明,器件低频噪声主要来源......
与传统的体硅电路比起来,SOI电路具有高速、低压、低功耗、抗辐照、耐高温等优点。但由于早期的SOI材料的制作成本比较高,所以原先......
