掩蔽层相关论文
本文采用Mo、WTi90-Au和TiW90-Au三种不同的金属薄膜作为玻璃深槽腐蚀的掩蔽层,研究不同掩蔽薄膜对玻璃腐蚀的横纵腐蚀比,并通过光......
本文阐述了硅微尖阵列的制备工艺。实验以直径4英寸的n型(100)晶向的硅片为基片,首先在硅片表面氧化生成一层厚度为250nm的二氧化......
该文对浓硼选择深扩散工艺进行了研究，针对高浓度深扩散时由于需采用大厚度的ＳｉＯ〈，２〉掩蔽层而带来的工艺问题，提出了采用ＳｉＯ〈，２〉加ＳｉＮ〈，４〉的双......
结合实验室制备机械刻槽深埋电极太阳电池的工艺过程及实验结果，给出二氧化硅层参数的最佳设计及制备方法．实验结果表明，1 000℃氧化......
采用一种新的LPCVD方法在Si衬底上通过SiO2作为掩蔽层，进行3C—SiC的反向外延的选择性生长．TEM，AFM和XRD结果显示3C-SiC沿（111）面成功实......
结合实验室制备机械刻槽深埋电极太阳电池的工艺过程及实验结果，给出二氧化硅层参数的最佳设计及制备方法，实验结果表明，1000度氧化温......
本文研究了在ＨＦ—ＣＶＤ法中，衬底温度Ｔｓ对ＰＥＴＥＯＳ（等离子体增强正硅酸乙酯）氧化硅—硅衬底上选择性生长金刚石薄膜的影响。结果表明：Ｔｓ变化影响ＰＥＴＥＯＳ氧化硅掩蔽......
研究了采用等离子刻蚀机对硅进行深槽刻蚀中掩蔽层的选择及横向腐蚀的抑制等工艺问题.实验发现,以氟基气体作为工艺气体,铝或铝合......
<正> 一前言压电陶瓷是一种新型的功能材料,在新技术发展中占有重要地位。近二、三十年来,压电陶瓷的研制和探索十分活跃,发展极为......
在亚微米工艺中,多晶栅TiSi工艺是降低接触电阻的常用方法。但是TiSi的生长与衬底的掺杂浓度相关,对多晶栅的掺杂剂量有很高的要求......
Al薄膜对硅的高刻蚀选择比使其成为硅深刻蚀过程中重要的掩蔽层材料。本文采用剥离法对Al薄膜进行图形化,得到了一组能够快速对Al......
MgO薄膜对硅的高刻蚀选择比使其成为硅深刻蚀过程中重要的掩蔽层材料。本文采用腐蚀法对MgO掩蔽层薄膜进行图形化,得到了一组能够......
随着MEMS技术的发展，MEMS器件上的微结构从之前单一的表面结构向更为复杂的三维空间立体结构加工方法发展，高深宽比结构的加工则是其......
