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结合实验室制备机械刻槽深埋电极太阳电池的工艺过程及实验结果，给出二氧化硅层参数的最佳设计及制备方法．实验结果表明，1 000℃氧化......
采用一种新的LPCVD方法在Si衬底上通过SiO2作为掩蔽层，进行3C—SiC的反向外延的选择性生长．TEM，AFM和XRD结果显示3C-SiC沿（111）面成功实......
研究了采用等离子刻蚀机对硅进行深槽刻蚀中掩蔽层的选择及横向腐蚀的抑制等工艺问题.实验发现,以氟基气体作为工艺气体,铝或铝合......
<正> 一前言压电陶瓷是一种新型的功能材料,在新技术发展中占有重要地位。近二、三十年来,压电陶瓷的研制和探索十分活跃,发展极为......
在亚微米工艺中,多晶栅TiSi工艺是降低接触电阻的常用方法。但是TiSi的生长与衬底的掺杂浓度相关,对多晶栅的掺杂剂量有很高的要求......
Al薄膜对硅的高刻蚀选择比使其成为硅深刻蚀过程中重要的掩蔽层材料。本文采用剥离法对Al薄膜进行图形化,得到了一组能够快速对Al......
MgO薄膜对硅的高刻蚀选择比使其成为硅深刻蚀过程中重要的掩蔽层材料。本文采用腐蚀法对MgO掩蔽层薄膜进行图形化,得到了一组能够......
随着MEMS技术的发展，MEMS器件上的微结构从之前单一的表面结构向更为复杂的三维空间立体结构加工方法发展，高深宽比结构的加工则是其......
