MgO薄膜相关论文
MgO薄膜由于具有次级电子发射系数(δ)高、化学稳定性好,已广泛应用于多种光电倍增管、微通道板图像增强器、等离子体平板显示器。......
脉冲偏压真空电弧离子镀技术具有瞬间能量密度高、平均能量密度低的特点，与传统的直流偏压技术相比，不仅在低温下可制备致密的薄膜，还......
用激光脉冲沉积技术生长、制备出了一系列不同真空度、不同衬底温度和不同激光脉冲能量的MgO薄膜。对生长、制备出的一系列MgO薄膜......
研究了等离子显示器中Sc掺杂对MgO介质保护薄膜外逸电子发射性能的影响。测试出无掺杂和Sc掺杂MgO薄膜在不同温度条件下的外逸电子......
用激光脉冲沉积技术生长、制备出了一系列不同真空度、不同衬底温度和不同激光脉冲能量的MgO薄膜.对生长、制备出的一系列MgO薄膜......
采用脉冲偏压电弧离子沉积技术在玻璃基片上制备了透明的、具有择优取向的MgO薄膜。针对绝缘性薄膜表面的荷电效应,比较了脉冲偏压......
基于荫罩式等离子显示器试验平台测试了高Xe混合气体条件下对向放电的帕邢曲线，并使用本地场近似的流体模型计算了10％～80％Xe浓度下放电......
采用阴极真空电弧离子沉积技术在玻璃衬底上制备出了具有择优取向的透明MgO薄膜．利用卢瑟福背散射谱、X射线衍射仪、扫描电子显微镜......
采用脉冲激光沉积法（PLD）制备了FePt：MgO多层复合薄膜。采用高分辨透射电子显微镜（HRTEM）分析了薄膜的结构;采用紫外可见分光光度计分析......
采用阴极真空电弧离子沉积技术在硅基片上制备出了MgO薄膜。利用椭圆偏振光谱、原子力显微镜及扫描电子显微镜分别对不同氧流量下......
以MgO薄膜、MgO/Au复合薄膜作为二次电子发射材料的研究对象,利用持续电子束轰击薄膜的方式,研究了二次电子效应与时间的变化规律......
采用磁控溅射法在石英衬底上制备了MgO薄膜并分别在不同温度下进行退火处理。利用X射线衍射仪（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）研究了MgO薄......
以无机盐为原料，用溶胶-凝胶技术在Si（111）衬底上制备（100）取向MgO薄膜。镁硝酸盐的冰醋酸溶液加热回流转化形成的Mg（CH3COO）2，与乙酰丙酮（A......
金刚石的异质外延生长过程需要高质量的衬底材料,为了得到异质外延的高度定向金刚石薄膜,需要设计一种能够高度取向一致生长的适合......
以分析纯Ca（OH）2为原料,经成型、煅烧后,将其破碎为2.5-5 mm颗粒,制成CaO砂,在其表面包裹电熔MgO细粉,分别于1500℃、1600℃×3 ......
用反应磁控溅射的方法制备了MgO薄膜.基于原子力显微镜观测,并借助Fourier变换,计算了薄膜表面形貌的分形维数.发现分形维数变化对......
次级电子发射是一种涉及带电粒子与固体表面间相互作用的复杂过程.MgO薄膜具有较高的次级电子发射系数和化学稳定性,在多种光电倍......
采用电泳沉积法（EPD）在Si（111）衬底上制备出了MgO薄膜。用X射线衍射（XRD）、傅里叶红外吸收（FTIR）谱、透射电镜（TEM）和扫描电镜（SEM）对样品的结......
综述了MgO薄膜的主要制备方法，包括电子束蒸发、脉冲激光沉积、磁控溅射、金属有机物化学气相沉积、分子束外延和溶胶-凝胶法等。阐......
MgO薄膜对硅的高刻蚀选择比使其成为硅深刻蚀过程中重要的掩蔽层材料。本文采用腐蚀法对MgO掩蔽层薄膜进行图形化,得到了一组能够......
MgO属于面心立方结构,晶格常数为4.213（?）,具有很多优良的性质,可作为功能性氧化物薄膜材料与硅衬底之间的缓冲层、等离子体显示器（PD......
忆阻器是一种新型电子器件,兼具信息储存和逻辑运算功能,在非传统计算机及模拟神经网络等方面有重要研究价值;瞬态电子器件是指在......
研究了脉冲激光淀积MgO薄膜的过程中,制备工艺参数对薄膜结晶性的影响.研究发现,MgO薄膜的结晶性主要受控于衬底温度和激光能量密......
MgO薄膜具有很好的热稳定性、化学稳定性和电绝缘性能，且与常见的功能性薄膜材料如PZT、YBCO等具有非常接近的晶格常数，因此常作为Si......
该文介绍了磁控溅射沉积技术的基本原理、发展及应用。简述了MgO、Al2O3薄膜的应用及其制备方法。 介绍了实验中使用的非平衡中......
综述了具有二次电子发射功能的MgO薄膜的主要制备方法,包括电子束蒸发、磁控溅射、溶胶-凝胶、分子束外延和脉冲激光沉积法。阐述......
用一种简单的方法制得MgO的前驱溶液并用溶胶凝胶法在Si(100)和Si(111)衬底上制备出( 111 )择优取向的MgO薄膜.使用X射线衍射曲线......
硅微通道板是90年代以后提出的一种全新的基于半导体工艺技术而形成的图像增强器件。与传统的玻璃微通道板相比,硅微通道板在技术......
