掺氟相关论文
以正硅酸乙酯(TEOS)/C4F8/Ar为气源,采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备了低介电常数a-SiCOF介质薄膜,并借助X射线光电......
利用第一原理方法讨论了掺氟碳纳米管的电子性质.与纯碳管相比,掺氟碳纳米管也能稳定存在,并具有更好的场发射性质.这是原子层次的......
采用改进化学气相沉积与外气相沉积法(MCVD+OVD)光纤预制棒生产工艺,通过调整反应原料配料比、蒸发压力、靶棒的移动速度以及修正......
近年来,G.657.A2光纤已成为高性能接入网广泛使用的光纤。为了实现其优质、高效的批量制造,介绍了利用气相轴向沉积法(VAD)制造G.6......