掺碳相关论文
A study on nano-sized NiO electrodes doping with C and Co prepared by electrochemical deposition-sin
In the present work, it was studied that nanoosized NiO electrodes doping with C and Co were prepared by electrochemical......
本文从α-Al2O3：C晶体探测器材料的实际需要出发和以目前国内外研究中存在的问题为出发点，开展以下工作：采用导模法(EFG法)快速生......
以C2H2为碳源,Fe为催化剂,纳米FePO4为原料,采用催化化学气相沉积法(CCVD)合成多孔LiFePO4/C正极材料。经BET、SEM、CHON有机元素......
本文对掺碳制备锂离子电池正极材料LiMn0.6Fe0.4PO4进行了研究。文章采用高温固相法分别合成LiMn0.6Fe0.4PO4及掺碳的LiMn0.6Fe0.4......
ＳｉＧｅＣ三元合金近年来成为人们的研究热点之一。处于替代位置的碳可以缓解ＳｉＧｅ合金的应变，同时调节其能带。该文介绍了用ＵＨＶ／ＣＶＤ生长的掺碳达２．２℅的锗硅......
研究了Cr-20高铬铸铁的组织及其三体磨损性能。结果表明：热处理对Cr-20高铬铸铁的组织与性能有显著的影响。对于磨损特性，在磨损初期......
采用十二烷基胺(DDA)作模板合成了二氧化钛颗粒，并在氮气流中以不同温度碳化制出了掺碳的二氧化钛。掺碳的二氧化钛的结构由透射电......
采用室温磁控溅射技术成功地在钢(Cr12MoV)基材表面制备出TiB2/SiC双层薄膜及掺碳TiB2(TiB2-C)/SiC双层薄膜,SiC薄膜为中间层。研......
本文从几篇文献的误解入手,介绍了掺氮二氧化钛(TiO2)具有可见光活性的几种不同观点,在分析后,得出掺氮TiO2具有可见光活性是由于......
研究了在中位径为０．４２μｍ的碳化硼微粉中添加１％～４％碳为活化剂的烧结过程。研究了烧结坯的密度、抗弯强度、晶粒度与掺碳量、烧结温度、保温时......
以正硅酸乙酯(TEOS)/C4F8/Ar为气源,采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备了低介电常数a-SiCOF介质薄膜,并借助X射线光电......
以TiCl4和导电碳黑为原料,通过“外凝胶”法制备出掺碳球形前驱体,再通过一定的热处理后制备出了锂离子电池球形Li4Ti5O12/C复合负......
<正> SiO2 films were thermally grown on < 111 > oriented p-type mono-crystalline silicon to about 500 nm in thickness by......
重掺碳基区ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管初探严北平，潘静，蔡克理，章其麟，罗晋生（西安交通大学电子工程系，７１００４９）（河北半导体研究所，石家庄，０５００５１）ＡＳｔｕｄｙｏｆＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ－ＨＢＴｗｉｔｈａＨｅａｖｉｌｙＣ－ｄｏｐｅｄ...更多还原......
期刊
采用磁控溅射技术,使用SiC薄膜和Ti膜作为中间层在Cr12MoV钢表面制备掺碳TiB2（TiB2-C）薄膜,研究掺碳TiB2薄膜的Raman光谱、纳米压痕......
为锂离子电池的 Li2FeSiO4/C 合成阴极在 650 点被综合...
用碳的局域振动模(LVM)红外吸收的方法测量了未掺杂半绝缘(SI)LECGaAs中碳的纵向和横向分布,对碳的掺入机理、影响碳分布的因素进......
本文利用尿素在甲醇溶液中,在不同温度下的溶解度的差异,加入四氯化钛的同时,使尿素在甲醇溶液中结晶,经过高温煅烧制备了不同的温......
采用固相法合成LiFePO4和掺碳的LiFePO4,并对不同掺碳量的LiFePO4进行电化学性能测试,室温条件下,在0.1 C倍率下充放电,样品d(ωC=......
采用气体反应磁控溅射方法350℃基底温度制备的碳掺杂TiO2-xCx薄膜为样品，测试其可见光激发的亲水性能和光催化特性，并与纯TiO2薄膜......
本文从ｎ型赝三元温差电材料碳掺杂后加工性能明显改善的事实出发，根据Ｘ射线衍射和电子能谱等测定的实验结果，指出了掺入材料中的碳原子......
利用喇曼光谱和光致发光谱，对采用氢化气相外延沉积方法在MOCVD GaN衬底上生长的掺碳GaN样品的光学性质进行了研究，结果发现C3H8流......
为改善低电导率Li2FeSiO4材料的电化学性能,采用真空固相法制备了Li2FeSiO4/C复合正极材料.利用X-射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM......
钛宝石激光晶体在现代高功率激光领域具有重要的应用价值,但大尺寸、高品质的晶体生长仍是当前钛宝石应用面临的重大难题.本文研究......
本文在国内首次采用自行设计的碳纤维束源炉及固态源ＭＢＥ技术生长了优质碳掺杂ＧａＡｓ，ＡｌＧａＡｓ及δ碳掺杂ＧａＡｓ外延层，获得了空穴浓度从４×１０＾１４ｃｍ＾－３到２×１０＾１９ｃｍ＾－３的ＧａＡｓ材料......
Ｃ作为ＩＩＩ－Ｖ族半导体中常用的ｐ型掺杂剂，由于它的掺杂浓度极限高和扩散系数低，逐渐引起人们的关注，并在许多应用中显示出潜力而有望代替常规的......
The low-k carbon doped silica film has been modified by radio frequency helium plasma at 5 Pa pressure and 80 W power wi......
利用低压金属有机金属化合物气相沉积方法，以液态ＣＣｌ，为掺杂源生长了高质量Ｃ掺杂ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ材料，并对生长机理、材料特性以及Ｃ掺杂对大功率半导体激光......
研究了负载采用火焰CVD法制造的纳米掺炭TiO2薄膜的光催化管式反应器对甲醛气体的降解性能。测量并计算TiO2薄膜的降解效果，研究了......
综述了掺碳改性技术在锂离子电池正极材料磷酸铁（LiFePO4）各种合成工艺路线中的研究进展，总结了掺碳的碳源种类。掺碳改性对LiFePO4电......
研究分析了掺碳SiCp/MoSi2复合材料的相组成、室温和高温力学性能、高温抗氧化性能、耐磨性能以及电阻率.结果表明:(SiCp+C)/MoSi2......
随着铅炭电池的研究和产业化的发展,掺碳技术有效抑制了传统铅酸电池在PSoC应用情况下的负极硫酸盐化。铅炭电池提高了充电接受能......
超大规模集成电路的高速发展对硅单晶材料提出了愈来愈严格的要求,控制和消除直拉硅中的微缺陷是硅材料开发面临的最关键的问题。......
采用十二烷基胺 (DDA)作模板合成了二氧化钛颗粒 ,并在氮气流中以不同温度碳化制出了掺碳的二氧化钛。掺碳的二氧化钛的结构由透射......
采用气体反应磁控溅射的方法在350℃制备了碳掺杂TiO2薄膜,并对薄膜的结构做了表征与分析。XRD结果显示碳掺杂薄膜为锐钛矿结构,有......
研究了温梯法生长不同浓度石墨碳掺杂蓝宝石单晶的室温力学性能。实验发现在蓝宝石单晶中,掺入适量石墨碳可以显著提高晶体常温断......
