氧化硅薄膜相关论文
以三嵌段聚合物F127为模板剂,正硅酸乙酯为前驱体,盐酸为催化剂,采用溶胶凝-胶法制备了氧化硅减反膜,采用FTIR、AFM、SEM、TEM、N2......
二氧化硅(SiO2)薄膜的折射率低、消光系数低、色散小、附着力强、粗糙度小,在可见光和近红外区域均为透明,是一种理想的光学薄膜。......
表面钝化是高效太阳电池的一项关键技术。现今,在光伏行业中广泛应用的钝化技术有等离子体增强化学气相沉积氮化硅PECVD-SiNx,原子......
角度不敏感颜色滤光片在显示、大角度探测、无油墨印刷等领域具有重要的应用前景,其中金属-介质-金属型角度不敏感滤光片具有透过......
薄膜自组装技术是近几年十分受关注的研究领域。本文采用电辅助自组装技术,选取FTO导电玻璃和高定向裂解石墨(HOPG)作为薄膜组装基......
压电材料作为一种重要的功能材料,广泛应用于各个工业部门、高科技领域和日常生活的各个方面。但传统的压电材料多含有重金属铅,在当......
利用生物学原理设计和制造仿生材料已成为21世纪科学的一个重要发展方向。仿生矿化和分子印记是近年来仿生材料的研究热点。仿生矿......
20世纪80年代末诞生并发展起来的纳米科学技术有可能成为21世纪的主导技术。纳米材料具有许多传统材料无法媲美的奇异特性和特殊功......
随着信息技术的飞速发展,信息采集、贮存、处理的容量和速度要求日益提高,电子时代的重要物质基础半导体器件正在接近或已经达到其......
近年来,大气压冷等离子体射流(APPJ)沉积薄膜的技术越来越受到人们的关注,因为放电装置的优点是成本低,不需要昂贵的真空设备,操作......
由于晶体Si的带间跃迁发光效率比GaAs等化合物半导体低3-5个数量级,无法满足光电子器件的需要,完全的硅基光电子集成网络也一直未......
摘译在聚合物表面沉积一层薄膜可以有效阻止氧气和水蒸气的渗透,目前比较常用的阻隔膜为氧化铝薄膜和氧化硅薄膜。氧化铝薄膜具有......
以正硅酸乙酯(TEOS)/C4F8/Ar为气源,采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备了低介电常数a-SiCOF介质薄膜,并借助X射线光电......
为了使介孔薄膜更广泛地应用于分离、催化、化学传感器、发光材料和太阳能电池等方面,人们对其合成与应用进行了研究。文章综述了......
用C2H5OH溶液氧化H钝化的Si表面(H-Si)得到一层氧化硅超薄膜。原子力显微镜(AFM,Atomic Force Microscope)的结果显示,氧化前后的表面均......
Improving the galvanizability of high silicon advanced high strength steels(AHSS) is a practical technical challenge. In......
利用射频磁控溅射复合靶技术,通过调节复合靶的百分比制得富硅的氧化硅薄膜。并在不同的温度下退火。制得含纳米硅的氧化硅薄膜.通过......
在传统的等离子体增强化学气相沉积(plasma-enhanced chemical vapor deposition)技术基础上,通过添加磁场来约束等离子体相中的电......
以SH_4和O_2作为反应气体,利用电感耦合等离子体增强型化学气相淀积(ICPECVD)技术制备了氧化硅薄膜,通过正交试验设计的方法研究了反......
Fe(II) was deposited into the bottom of the mesopores of highly ordered large caged cubic mesoporous silica by electrode......
基于硅基光波导的平面光波电路(Planar Lightwave Circuits,PLC)技术,因其在晶片批量生产中的先进性,使其正在推动功能部件的应用......
学位
采用等离子体化学气相沉积法在硅基底上沉积氧化硅薄膜,研究在不同工艺条件下薄膜的应力变化情况和折射率分布规律.利用应力测试仪......
以正硅酸乙酯(TEOS)和八氟环丁烷(C4Fs)为原料,采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备了氟碳掺杂的氧化硅薄膜(SiCOF).样品......
母排是变电站配电供电设备中的主供电线路,通常采用热缩套管进行防护。但随着电力工业迅速发展,大功率的电缆和电线的应用,加上外......
当薄膜以适当的黏附能结合在基底上时,由于残余拉伸应力的作用,薄膜会同时发生开裂和界面脱层,从而形成许多不同寻常的裂纹形貌,如......
本文搭建了一套大气压等离子体薄膜沉积系统,其装置采用喷枪方式,结合运动机构控制喷枪按特定轨迹移动镀膜。四乙氧基硅烷(TEOS)作为......
<正> 日本夏普公司最近开发出批量生产转换效率高达22%的单晶珪太阳电池的先进技术。他们在p型硅基板与背面正电极之间新生长上一层......
本论文的主要内容是把在脉冲激光烧蚀(pulsed laser ablation,PLA)和微波放电(microwave discharge,MD)技术基础上摸索的ECR等离子体辅......
氧化硅薄膜因其具有硬度和熔点高、抗磨耐腐蚀、膜层牢固、且绝缘性和稳定性好等优点而被作为绝缘介质层,在半导体Si工艺和GaAs工艺......
当薄膜以适当的粘附能结合在基底上时,由于残余拉伸应力的作用,薄膜会同时发生开裂和界面脱层,从而形成许多不同寻常的裂纹形貌,如......
采用磁控溅射法制备了富硅氧化硅薄膜,然后分别经过一步热处理、两步热处理和快速热处理制备了镶嵌有硅纳米晶的氧化硅薄膜.实验结......
用PECVD技术制备氧化硅薄膜,研究了生成样品的位置对薄膜成分、结构和性能的影响,探讨了制备兼具高透光性和耐刮擦性的功能装饰氧......