晶体生长工艺相关论文
作为第三代宽禁带半导体材料的代表,氮化铝(AlN)晶体具有宽带隙,高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率以及高抗辐射能力等优点,在......
工业废水中常含有大量的氮磷元素,直接排放不仅会造成水体的富营养化近而导致环境污染还会造成氮磷资源的浪费。目前,广泛采用向废......
由半导体激光器泵浦的固体激光器兼容了半导体激光器和固体激光器的双重优点，具有体积小；总体转换效率高；较高的频率稳定性和更窄的线......
钼酸铅(PbMoO4)单晶作为一种性能优良的声光晶体材料广泛应用于声光偏转器、声光调制器和声光滤波器等各类声光器件，是目前在可见光......
采用Cz法生长出Φ30mm×30mm的单晶体,对其原料配置、晶体生长工艺,压电性能及应用进行了研究,从压电性能,晶体谐振器和压控振......
<正> 掺钛宝石晶体是80年代初期发展起来的新型可调谐激光晶体。掺钛宝石激光器具有调谐范围宽、效率高、寿命长等特点,被广泛地应......
采用提拉法(Cz法)生长了45×40mm大尺寸钨酸铋钠(NaBi(WO4)2,简称NBW)晶体,探讨了工艺参数和晶体开裂间的关系,并根据Brice......
本文报道了用化学气相沉积 (CVD)法制备高质量红外光学体块材料硫化锌 (ZnS)的制备工艺 ,研究了晶体缺陷对其光学性能的影响。XRD ......
本文讨论顶部籽晶法各种生长条件对大尺寸、高质量β-BaB2O4晶体的影响,诸如助熔剂、温度梯度、晶体转速、降温速率、籽晶方向等晶......
采用水热法,在430℃、40MPa的压力下合成出了纯刚玉晶体.在相同的条件下,通过掺入Ti(OH)4合成了掺钛刚玉晶体.掺Ti刚玉晶体具有较......
在LiNbO3中掺进MgO,In2O3,Er2O3以Czochralski技术系统生长了Mg(3mol%):In(1mol%):Er(1mol%):LiNbO3,Mg(3mol%):In(2mol%):Er(1mol......
使用优级纯的NH4H2PO4(含量＞99.5%)和重水(纯度＞99.5%)为原料,在重水中经过三次氘化重结晶,获得含氘量＞95%的结晶原料.上述DADP晶体作......
本文以水热自发成核BSO晶体作为培养料,4.0 mol/L NaOH溶液为矿化剂,采用水热法成功生长出无色BSO晶体,测试了其透过率曲线,并探讨......
综述了80年代至今的晶体界面形态稳定性的研究方法和内容,主要包括晶体形态稳定性与生长机制的关系,实时观察法研究晶体形态稳定性......
磷化锗锌单晶(ZnGeP_2,简称ZGP)是一种性能优异的非线性光学材料,被认为是目前中远红外激光输出的最佳频率转换介质。本文研究的是......
