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描述了用高功率脉冲激光打靶产生的等离子体作为软X射线源而进行的接近式软X射线光刻研究。采用正性光刻胶PMMA.得到了一些新的研究结果.
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日本日立中研研制出GaAs系半导体激光器与驱动用FET集成化的光电子集成器件。该器件具有高速工作、高可靠性、低噪声等优点。半导......
描述了用高功率脉冲激光打靶产生的等离子体作为软X射线源而进行的接近式软X射线光刻研究。采用负性辐射线光刻胶聚氯甲基苯乙烯(PCMS),得到......
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