靶材相关论文
高质量的陶瓷靶材对于射频磁控溅射法可镀制出综合性能优异的BaBiO3基负温度系数热敏薄膜至关重要。基于此，本工作以纯Ba Bi O3靶材......
近年来,以集成电路为主要方向的半导体相关产业得到了较快的发展。集成电路电路技术的进步离不开半导体制造工艺的逐步改进,而磁控......
针对废NiPt靶材，提出采用选择性溶解-中和沉淀工艺回收镍，铂富集物王水溶解-氧化水解除杂-氯化铵沉淀-煅烧工艺回收铂。结果表明，在硫......
以气化In2O3和SnO2粉为原料,在原料体系中按照SnO2为4%（质量分数）、6%、8%和10%的比例分别与In2O3混料,使用模压辅助冷等静压（CIP）成型......
贵金属靶材在半导体集成电路、显示器、电子部件反射膜、光学记录媒体、磁记录材料、玻璃功能薄膜、装饰首饰等领域有广泛的应用，本......
采用自主设计的带有气氛保护、冒口保温、磁力搅拌和强制冷却功能高频熔炼-铸造-搅拌一体化设备制备银基合金靶材坯料。研究了Au、......
研发了工业用半导体及电子信息行业用钛青铜,价格比进口产品低10-20%,性能相当,可替代国外产品。其中靶材用Cu-3.0wt%Ti的组织、成......
大尺寸高密度ITO靶材是我国当前的“卡脖子”技术,现有镀膜生产线对ITO靶材的相对密度要求达到99.7％以上,而ITO靶材在烧结初期的致......
近十几年,国内电子半导体行业发展迅速,对靶材的需求不断扩大,优良性能靶材的生产已成为支撑我国半导体行业发展的重要产业。磁控......
采用真空悬浮感应熔炼炉制备含钪20％的铝钪二元合金,并对比浇注和水冷铜坩埚中随炉冷却两种成型方法所制得铸锭的成分均匀性,从而确......
以钨硅混合粉体为原料,通过真空煅烧制备钨硅合金块体,再经破碎、烧结致密化后成功制备出符合半导体使用要求的钨硅靶材.研究了煅......
采用真空烧结方法制备了Nb2O5∶TiO2（NTO）的陶瓷靶材,研究了在7.5%（质量分数）掺杂量下不同烧结温度对NTO陶瓷靶材的微观结构、表面形貌......
描述了用高功率脉冲激光打靶产生的等离子体作为软Ｘ射线源而进行的接近式软Ｘ射线光刻研究。采用正性光刻胶ＰＭＭＡ．得到了一些新的研究结果．
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我们采用自行设计研制的积分球，测量了几种不同表面状况的ＬＹ１２铝合金靶对ＣＷＣＯ２激光（功率４０Ｗ左右）的热耦合系数。与理想条件下的经典理论值相比，热耦......
利用一维理想弹塑性流体动力学模型和有限差分方法，研究了激光辐照固态靶材时产生的激波的形成和衰减过程以及动态断裂。
Using th......
利用自行研制的ＰＶＤＦ压电传感器研究了高功率密度激光冲击过程中有机玻璃约束窗口对激光冲击波压力的影响，实验表明有机玻璃（ＰＭＭＡ）约束层可大幅......
利用准分子脉冲激光（ＸｅＣｌ，λ＝３０８ｎｍ）对Ｓｉ，红宝石和钛宝石靶进行消融，从而得到ＳｉＯ２和红宝石、钛宝石的钠米级粉末。用透射电镜对粉末的物质形态进行分析，并......
e型电子枪作为光学镀膜的主要蒸发源,其能量系统的稳定性对光学镀膜起到很大作用,本文利用改变空间磁场的分布、改变电子枪的扫描......
21世纪以来,作为平板显示背板的金属氧化物薄膜晶体管(MO-TFT)发展迅猛,其在低成本、高迁移率、大面积均匀性方面有巨大优势。磁控......
当前,能源危机和环境污染是人类面对的共同挑战。许多国家都把能源安全放在了整个国家安全体系中的重要位置,人类对环境的保护意识......
金属钼具有诸多优异的物理、力学性能和良好的化学稳定性,在许多领域有着广泛的应用和良好的前景。然而,钼存在再结晶温度低、室温......
以高纯稀土钇材料、铜及6061Al合金材料为研究对象,研究了高纯稀土钇靶材的钎焊与扩散焊接性能。结果表明,稀土钇靶材对In焊料的浸......
多用途采暖炉 专利号：ZL03254545.2 0335630.3 介绍：已获得外观设计和实用新型两项专利的多用途采暖炉，最近又获得巴黎国际......
为开发适合制备ZGO靶材的超细β-Ga2O3纳米粉末,以金属镓、硝酸、盐酸、氨水为原料,对化学沉淀法制备纳米氧化镓粉末的过程进行了......
用射频磁控溅射方法分别在ＮａＣｌ和Ｓｉ基底上制备了聚四氟乙烯薄膜．通过红外吸收光谱的研究分析了薄膜中的成分及分子链结构．
Teflon films w......
采用脉冲激光沉积法在Si(10 0 )衬底上制备了Pb(Zr0 .52 Ti0 .4 8)O3 铁电薄膜 ,并用X射线衍射 (XRD) ,扫描电镜 (SEM )对其结构、......
讨论了在低温下以高纯金属钒作靶材,用直流磁控溅射的方法制备出了氧化钒薄膜。通过设计正交试验,分析了氩气和氧气的流量比,溅射......
1.难熔金属硅化物的特性集成电路发展过程中,随着集成度的不断提高,布线宽度越来越窄,以致连线电阻的增加影响了电路延迟时间。超......
采用高频磁控溅射研制出的Cr-Si薄膜,方阻为500Ω/□～5kΩ/□,TCR小于50×10~(-6)/℃,并在生产中得到应用。
The Cr-Si film devel......
在较大冷轧变形量的情况下,研究了退火温度和退火时间对NiCr20溅射靶材再结晶晶粒大小和均匀性的影响,通过试验确定了该合金靶材90......
为获得高性能的ITO靶材，本文采用XRD、XPS、SEM等表征手段系统探讨了ITO靶材中低价In1+、an2+离子存在对ITO靶材、ITO薄膜性能......
制备了铝钪合金(Al-20％Sc)靶材,并研究不同退火工艺对合金靶材微观组织和显微硬度的影响.结果表明:退火后,靶材样品晶粒形状发生变......
分析了高纯钽粉生产的技术特点,介绍了一种改进的钽靶材用高纯钽粉的生产方法。采用高温脱氢(900~950℃)和低温脱氧(700~800℃)分......
随着磁控溅射技术应用日益广泛,难熔金属靶材需求不断增大。就难熔金属靶材应用、制备及发展进行总结和探讨,分析了制作过程中致密......
本文研究了ITO靶材在磁控溅射过程中的结瘤现象,借助SEM、XRD、EDS和XPS等方法对结瘤机理进行分析.结果表明,Sn02分解生成SnO或许......
本文详细介绍了氧化铟锡（ITO）靶材的性能与应用，分析了国内外ITO靶材制备技术的发展，比较了国内外主要ITO靶材生产厂家的生产状况，......
本文报导了ITO靶材溅射时,靶材表面的时效变化和靶材表面结瘤物的组成及其微结构;探讨了结瘤物生成的原因和减缓瘤子生成的方法,对......
强流脉冲离子束因其自身的诸多优越性，在材料领域里越来越受到重视。本文结合三束材料改性国家重点实验室从俄罗斯引进的TEMP型强流......
以化学组成ZnO∶A l2O3=98∶2%的混合粉体为原料,采用热压烧结制备AZO靶材。研究了热压工艺条件对靶材致密化的影响。结果表明,热......
以氧化锆(ZrO2)、硼酸(H3BO3)和碳粉(C)为原料,硼(B)粉为添加剂,采用碳热还原法合成硼化锆(ZrB2)粉体,在真空碳管炉中,采用氩气气......
