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一、引言随着大规模集成电路(LSI)向着超大规模集成电路(VLSI)发展,即要求每一基片上集成十万个元件以上、一万门电路以上,对图象......
掩模图形不同区域的波前因衍射光的相干叠加作用而对光刻胶上的场点产生不同的影响。为研究这一作用规律,采用波前分割的方法对掩......
提出一种利用基于数字微反射镜装置（DMD）的数字光刻系统制作掩模版的方法。通过制图软件制作出二元光栅、菲涅耳波带片等衍射光学元......
随着集成电路特征尺寸进入2Xnm及以下节点,光源与掩模联合优化(SMO)成为了拓展193nm ArF浸没式光刻工艺窗口、减小工艺因子的重要......
根据生产过程的需要,在一台小型机上实现了对PG(图形发生器)文件的检查和处理,以及从PG文件产生原图文件.在通常情况下,这些工作是......
随着半导体技术突飞猛进的发展,对于制造半导体器件的重要工艺——光刻工艺的要求也越来越高。这些要求中“关于如何提高接触式光......
