极性控制相关论文
本文报道了用低压ＭＯＶＰＥ和ＲＦ－分子束外延法在蓝宝石衬底上作极性控制的ＧａＮ生长。以“双Ａｌ单层”模型讨论了用ＭＯＶＰＥ和ＭＢＥ法在蓝宝石衬底上生长ＧａＮ的极性选择的......
由于氮化物半导体材料在电子以及光电子器件的广泛应用,硅衬底上外延Ⅲ族氮化物半导体越来越引起学术界和产业界的重视.由于硅衬底......
近年来，宽禁带氧化物半导体材料ZnO由于其在短波长发光器件及紫外探测器等方面的巨大应用前景，受到了国内外学术界的广泛关注。与ZnS......
本文报道了用低压MOVPE和RF-分子束外延法在蓝宝石衬底上作极性控制的GaN生长.以"双～单层"模型讨论了用MOVPE和MBE法在蓝宝石衬底上......
近年来人们报道了用MBE方法生长GaN的飞速进展,利用RF-MBE方法可以获得高的GAN生长速率和高的电子迁移率.本文讨论了用RF-MBE方法......
研究了在GaAs(111)衬底上生长的六角相GaN的极性的相关关系.在高V/Ⅲ比的条件下用MOVPE和MOMBE方法生长的GaN的极性和GaAs衬底的极......
四川大学一种低灰分聚乙烯醇的制备方法，以低碱法生产的粒度为0．01毫米～7毫米的聚乙烯醇成品或半成品为原料，工艺步骤为1）萃取，萃取在常......
静电陀螺仪(ESG)的启动阻尼是一个转子最大惯性主轴与转轴对准的过程.采用直流磁场的可控式被动阻尼方法有效地解决了转子极性倒置......
