栅氧化膜相关论文
介绍了针对利用原位水汽生成工艺制作的超薄栅介质膜的电学特性研究。通过电荷泵和栅极隧穿漏电流的测试,证明了原位水汽生成工艺......
目前在大规模集成电路制造中,IC生产已经进入深亚微米和超深亚微米工艺时代.随着MOS尺寸的不断缩小,等离子体工艺已经成为主流.等......
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等离子体工艺最初被引入集成电路制造时,人们就意识到等离子体损伤对器件的潜在威胁,进而通过大量试验研究损伤的机理以及避免损伤......
高密度等离子体化学气相淀积（HDP CVD）,具有卓越的填孔能力和可靠的电学特性等诸多优点,因此它被广泛应用于超大规模集成电路制造工......
