栅电阻相关论文
功率MOSFET的开关性能主要取决于栅极和源极间的等效电阻Rg和等效电容Cgs的乘积。讲述了双扩散型MOSFET栅电阻Rg和栅电容Cgs的等效......
<正>超级结(Super-Junction)MOSFET器件基于电荷平衡技术,在减少导通电阻和寄生电容两方面提供了出色的性能,这通常需要折中权衡。......
针对功率VDMOS器件在实际应用中的电磁干扰（EMI）问题，对国内两家公司两款高压VDMOS产品进行应用于LED驱动电源模块的整机EMI测试以及V......
