显式地推导多晶硅薄膜晶体管（Polysilicon thin-film transistors，poly-Si TFT）表面势隐含方程的近似解，该求解法非迭代的计算大大地提......

功率MOSFET的开关性能主要取决于栅极和源极间的等效电阻Rg和等效电容Cgs的乘积。讲述了双扩散型MOSFET栅电阻Rg和栅电容Cgs的等效......

2.2电荷基CMOS新扩展器件电荷基CMOS新扩展器件的功能和场效应器件不同,包括利用带间隧穿效应的隧穿FET、利用冲击离化效应的IMOS......

当CMOS技术尺寸急剧减小到极限时，要突破这些基本极限，器件性能必须重新进行评估。也就是说，为了理解器件缩小进程中的极限并研制出新......

研究一种具有部分重叠双栅结构MOSFET器件模型,并将其与类似的分裂双栅结构MOSFET及普通栅结构MOSFET器件进行比较,利用MEDICI软件......

提出一种根据 C_g-V_g及 G_i-V_g关系测定 GaA: MESFET外延层中载流子浓度分布n(h)及漂移迁移率分布μ(h)的方法.给出了一些典型外......

基于Lambert W函数,推导出非晶硅薄膜晶体管表面势的解析解,并将其与泊松方程的数值解进行对比。结果显示:该求解大大提高了计算效......

基于FinFET栅电容结构微观物理特性原理.通过能带结构关系推导了考虑量子效应的栅电容物理模型公式,使用TCAD搭建了FinFET器件结构......

DDPG MOSFET作为一种新型的MOS器件,它具有提高驱动电流,提高器件的跨导和截止频率等优点。但是经过研究发现该器件仍然存在许多缺......

众所周知,计算机和通讯机是实现社会现代化信息化的关键,但是其主要的核心基础都是微电子产品。目前,MOS集成电路是微电子产业的核......

集成电路对于高速、高集成度、大信息存储量的追求使得MOS器件的尺寸持续缩小，但是随着MOS器件尺寸的缩小，许多原本在长沟MOS器件中......