用红外及氢释放谱研究了由高频辉光放电分解不同配比的 SiH_4+NH_3+H_2混合气体而制备的a-SiN_x∶H 薄膜。结果发现:随着 N/Si 增......

采用对靶磁控反应溅射技术以N2和H2为反应气体在硅(100)和石英衬底上制备了氢化非晶氮化硅(a-SiN:H)薄膜.利用台阶仪、原子力显微......

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采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HWP-CVD)技术制备了氢化非晶氮化硅(a-SiNx:H)薄膜,利用光致发光谱(PL)和傅里叶红外吸收谱(F......

采用等离子增强型化学气相沉积法（RF-PECVD），源气体为NH3／SiH4／N2的混合气体，在330℃的温度下沉积a-SiNx：H薄膜。研究表明在反应气体流量......

采用对靶磁控反应溅射技术以H2和N2为反应气体在不同氢气流量（15-25Sccm）条件下制备了氢化非晶氮化硅（a-SiN：H）薄膜，并利用傅立叶红外透......