界面陷阱电荷相关论文
由于HfO2材料具有较高的介电常数、较低的泄漏电流,以及与Si材料较好的热匹配性,成为电子器件理想的栅氧介质材料,被广泛应用于航......
本文选用特殊测试结构的栅控横向PNP（gated lateral PNP, GLPNP）双极晶体管为研究对象,在不同辐照温度下,得到了温度和剂量对GLPNP双......
制约碳化硅MOS器件特性的主要因素是SiO/SiO的界面特性和栅氧化层的质量,本文主要对6H-SiC MOSFET器件沟道热载流子的产生和其对栅......
利用氧化层动态电流弛豫谱分析方法，测试分析了在周期性电场应力下ＦＬＯＴＯＸＭＯＳ管隧道氧化层中陷阱电荷的特性，为研究陷阱电荷对ＦＬＯＴＯＸ ＥＥＰＲＯＭ 阈值电压的影响......
在电荷泵技术的基础上 ,提出了一种新的方法用于分离和确定氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷对 p MOS器件热载流子应力下的阈值电压退......
给出了一种新的预估互补金属氧化物半导体器件(CMOS器件)空间低剂量率辐射效应模型,相对线性响应预估模型,该模型在预估CMOS器件低......
基于氧化层陷阱电荷以及界面陷阱电荷的产生动力学以及辐射应力损伤的微观机理,推导出了金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)中辐......
设计并制作了一种新型双极测试结构,即在常规横向pnp双极晶体管基区表面氧化层上淀积一栅电极,通过扫描栅极所加电压,获得漏极(集......
为明确深亚微米NMOS器件抗辐照能力以及研究其加固措施,本文对0.18μm窄沟NMOS晶体管进行了60Coγ总剂量辐射效应研究.结果表明:和......
采用C-V测试技术对大功率IGBT栅氧制备工艺中常用的两种栅氧生长方法——干氧和湿氧进行了研究,重点分析了氧化温度和氯源对栅氧化......
随着半导体器件尺寸的进一步缩小,芯片的集成度不断提高。但同时,传统的电路单元-金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET:Metal-Oxi......
等离子体加工技术已成为半导体器件,尤其是LSI科研和生产中不可缺少的工艺,因而等离子体对半导体器件的影响已是人们十分关注的问......
MOS器件辐射效应的一些基本物理过程,如电荷产生、空穴输运、俘获与退火以及界面陷阱增长与退火等,取决于辐照总剂量、辐照剂量率......
该文从实用、商品化太阳电池的理论分析与生产工艺出发,对高效、低成本结构的太阳电池进行比较全面的研究.......
对二氧化硅薄膜驻极体中几种主要电荷的基本特性——固定氧化物电荷的特性特性、氧化物陷阱电荷的特性及硅一二氧二硅界面陷讲电荷......
对 L C54HC0 4 RH电路在不同辐射剂量率进行了电离辐射实验。分析了该电路的阈值电压随辐射剂量率的变化关系。实验结果表明 :在辐......
从理论上分析了近似计算所引起的SiC基MOSFET两个重要参数阈值电压和沟道电流的误差。结果显示，在很多情况下近似计算都会带来很大......
本研究提出了一种创新的P型表面掺杂工程技术，可专门应用于仿真程序时，优化布局中具交互指叉（interdigital）几何图案的器件结构内，不同......
本文首先介绍了发生于PMOSFET器件上的NBTI(负偏压温度不稳定性)的基本理论,介绍了NBTI的两种衰退机理(反应-扩散模型和电荷俘获-......
本文通过实验研究了0.8μm PD(Partially Depleted)SOI(Silicon-On-Insulator)p型Metal-oxidesemiconductor-feld-efect-Transisto......
纳米级工艺的栅氧化层厚度仍在继续缩小，但是由于功率MOS器件的广泛应用，超厚栅氧化层工艺仍有其研究的价值。功率VDMOS因为其优良的......
