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由于HfO2材料具有较高的介电常数、较低的泄漏电流,以及与Si材料较好的热匹配性,成为电子器件理想的栅氧介质材料,被广泛应用于航......
本文选用特殊测试结构的栅控横向PNP（gated lateral PNP, GLPNP）双极晶体管为研究对象,在不同辐照温度下,得到了温度和剂量对GLPNP双......
采用C-V测试技术对大功率IGBT栅氧制备工艺中常用的两种栅氧生长方法——干氧和湿氧进行了研究,重点分析了氧化温度和氯源对栅氧化......
随着半导体器件尺寸的进一步缩小,芯片的集成度不断提高。但同时,传统的电路单元-金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET:Metal-Oxi......
本文首先介绍了发生于PMOSFET器件上的NBTI(负偏压温度不稳定性)的基本理论,介绍了NBTI的两种衰退机理(反应-扩散模型和电荷俘获-......
本文通过实验研究了0.8μm PD(Partially Depleted)SOI(Silicon-On-Insulator)p型Metal-oxidesemiconductor-feld-efect-Transisto......
纳米级工艺的栅氧化层厚度仍在继续缩小，但是由于功率MOS器件的广泛应用，超厚栅氧化层工艺仍有其研究的价值。功率VDMOS因为其优良的......
