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碳化硅是第三代半导体材料，具有禁带宽度大，饱和漂移速度高，耐高压和耐高温以及抗辐射的优点，因此基于SiC的功率器件可以实现较小的导......
以前的研究工作表明，在空气中600℃~ 800℃时，在钨溅射膜表面生长不同的氧化膜，并表明这层溅射膜的抗氧化性能可通过用其它过渡金属(......
为顺应碳化硅肖特基器件制造工艺日益成熟的趋势,对作为关键工艺的氧化退火技术展开研究,优化SiC/SiO2的界面电学参数从而提升整个......
