能级位置相关论文
稀土离子的4fn和4f n-15d组态相对基态的能量位置已得到深入研究和广泛应用,而对于基态相对于基质的价带和导带所处的能级位置知之......
碳化硅是第三代半导体材料，具有禁带宽度大，饱和漂移速度高，耐高压和耐高温以及抗辐射的优点，因此基于SiC的功率器件可以实现较小的导......
采用三台染料激光器分步激发Ｓｒ原子，利用自电离过程产生离子或电子。当固定第一和第三步激光发光之波长而扫描第二步激发光之波长时，便......
转变电压谱是一种表征分子电子器件中的分子能级位置的重要谱学方法，我们利用非平衡格林函数与密度泛函理论相结合方法研究了金......
本工作是采用光感生电流瞬态谱技术,对半绝缘砷化镓衬底上分子束外延生长的高阻碲化镉薄膜中的深能级进行了测量与分析。发现......
在CdS/CdTe 太阳电池的制备中,易引入并形成各种深能级杂质.本文用深能级瞬态谱技术研究了石墨背接触CdS/CdTe 薄膜太阳电池的杂质......
某些基体材料杂质对太阳电池的转换效率有显著的消极影响。磁场可以使杂质原子能级分裂，即可以改变杂质原子的能级位置。提出一种借......
本文制作了以共蒸发Cu2Te、掺杂石墨为背接触层的两种CdS/CdTe薄膜太阳电池。用深能级瞬态谱研究了它们的深能级中心。在以共蒸发C......
采用多通道量子亏损理论与K反应矩阵相结合的理论处理方法，针对高于3p电离限的能域研究了镁原子3pns(37≤n≤47)自电离光谱，首次报导......
采用激光三步共振激发的方式，测定了Ｓｒ原子５ｐ〈，１／２〉ｎｓ系列ｎ从７至１８各态的能级位置、宽度和量子亏损。考察了自电离态宽度随ｎ的变化，从中反映出组态......
该文讨论了激光场中氢原子Ｓｃｈｒｏｄｉｎｇｅｒ方程修饰势的奇点。介绍了一种迭代求解方法。计算了激光场中氢原了修饰态的能级位置。结果表明，基态和低......
利用多重散射自洽场方法，计算了SiH分子内壳层(2s，2p)电子跃迁光吸收谱，计算的能级位置和振子强度密度都与实验符合较好。通过研究Si2......
利用变频导纳谱研究了r辐照前后Hgl-xCdxTe（x=0.6)n-on-p结中的深能级缺陷。辐照前其缺陷能级位置在价带上0.15eV俘获截面O＝2.9×10-......
采用多步激发方式研究Ba原子的奇宇称6pns（J=1)自电离系列的光谱，测量各态的能级位置、宽度和共振线形。运用多通道量子亏损理论（MQDT......
稀土原子是一类具有未填满或活跃内壳层的复杂原子，并在新型光源的开发、激光分离同位素、天体物理和自电离激光器等许多领域具有重......
这个公式可用来研究奇核的能级结构 ,特别是基态。也可以用来计算低激发态的自旋、宇称以及能级位置。 关于以上的计算方法可能还......
采用三步共振激发方式，通过探测自电离过程产生的离子，在ππ偏振组合方式和πσ偏振组合方式下分别测量了Ｂａ原子６ｓｎｓ＾１Ｓ０和６ｓｎｓ＾３Ｓ１ｙｄｂｅｒｇ系列的能级位置，所得......
几年前,笔者在《艺术表演团体评估和优化政府资助策划》(《文化管理研究》209—223页,文化艺术出版社1989年版)一文中,曾提出在能......
利用多通道量子数亏损理论对最近发表的Mg 3sns’S<sub>0</sub> Rydberg态之能级位置进行了研究.结果不仅证实了已测得的数据,还预......
几年前,笔者在《优化政府资助和艺术表演团体评估策划》一文中,曾提出在能级原理指导下,建立艺术表演团体的评估制度,从而优化政府......
系统的能带工程应包括对能带结构、带隙和带边不连续性的研究，在量子阱能带结构计算当中，带边不连续能量直接影响计算的结果，如果带边......
材料纯度、生长工艺、退火条件均会影响半导体材料中的杂质或缺陷能级状态,如何精确测量半导体中的能级位置、俘获截面及浓度是进......
采用多通道量子亏损理论与Ｋ反应矩阵相结合的理论处理方法，针对高于３ｐ１／２电离限的能域研究了镁原子３ｐ３／２ｎｓ（３７≤ｎ≤４７）自电离光谱，首次报导了能级位置、宽......
采用多通道量子数亏损理论与K矩阵相结合的方法,研究了镁原子3pns自电离态的光谱结构和特征.首次获得了包含精细结构的3p(?)ns自电......
利用单一能级复合中心理论，分析了杂质和缺陷作为陷阱和复合中心与能级位置的依赖关系。......
二氧化钛（TiO2）是钙钛矿太阳电池中最常用的电子传输材料, 研究发现其形态对MAPbBr3太阳电池的器件转化效率可产生直接影响。研究不......
