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目前，(PEA)2SnI4是二维有机无机金属卤化物钙钛矿薄膜场效应晶体管中研究最广泛的沟道材料，其主要问题是空气中Sn2+氧化和钙钛矿薄膜......
碳化硅是第三代半导体材料，具有禁带宽度大，饱和漂移速度高，耐高压和耐高温以及抗辐射的优点，因此基于SiC的功率器件可以实现较小的导......
本文完成了正偏栅控二极管生产—复合电流法测量SOI MOS管中由于应力产生的界面陷阱密度的实验研究.该试验方法简单而且比较准确,......
在均匀的高电场应力下，MOSFET器件的阈值电压和输出特性的比例差分峰值会有所改变。这是由于在应力过程中产生的缺陷引起的。在本文......
