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借助半导体专业软件Tsuprem-4和Medici详细研究了漂移区的长度、浓度以及结深，沟道区的长度、浓度，场极板的长度对高压PLDMOS击穿电......
<正>EEACC:2500目前,在衬底上形成石墨烯的主要方法有:(1)石墨晶体表面剥离/转移方法。采用胶带从石墨晶体表面剥离一层石墨烯并转......
<正> 一、半导体器件的一颗新星 VMOS管是1976年才问世的一种新型半导体器件,它是在集中了电子管,双极型晶体管和单极型晶体管优点......
功率MOS是在集成电路工艺基础上发展起来的新一代电力电子开关器件。LDMOS器件和VDMOS器件是功率MOS的典型代表,也是功率集成电路......
本文报道了通过衬底材料选取,图形选择、场限制环的设置,场板极的选用,提高VDMOS和VDMOS/npn复合结构击穿电压的方法,获得使VDMOS......
垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)由于高输入阻抗、低驱动功率及高开关速度等优势,已广泛应用于各种功率集成电路......
<正> 一般的 MOSFET 工艺是用厚氧化物作为扩散掩蔽,因而需要光刻和重复对准步骤以确定短沟道区上的栅氧化物及栅电极。自对准 MOS......
