离子注入技术相关论文
本文介绍了最新的使用离子注入技术的太阳电池光电转换效率.在单晶上实现了超过19％的光电转换效率.相应的60片封装标准组件功率超过......
介绍了在核物理和高能物理实验研究中使用的新型探测器——双面硅条两维位置灵敏探测器的结构,工作原理,制备工艺及测试结果.该探......
离子注入材料表面改性其技术经过努力已逐渐成熟.本文报告了核西物院研制的各型多功能离子注入机及特点,并举例说明了离子注入技术......
室温下使用160 keV，5×1016cm-2 He离子和110 keV，1×1016cm-2 H离子对单晶Si样品进行单离子和双离子注入。采用多种观测技术研究了......
一、金属材料表面改性的经济意义和离子注入技术 巨大的经济意义始终是开展材料研究,提高金属材料表面抗磨、抗疲劳、耐腐蚀等性......
本文介绍并讨论了一种ｎ阱ＣＭＯＳ与ｎ沟ＳＣＣＤ兼容的集成电路工艺。采用这种工艺研制的模拟延迟积分器，工作电压为１５～１８Ｖ，采样频率达１．３ＭＨｚ。
This article descr......
采用室温下Se+离子注入半绝缘GaAs衬底,通过优化注入能量、剂量、注入角度及快速热退火温度、时间,获得了高剂量(1×1013cm-2、200......
ＮＥＣ开发出了０．０７μｍ线宽的ＣＭＯＳ大规模集成电路ＮＥＣ开发成功了１６ＧＤＲＡＭ千兆位的动态存储器工艺需要０．０７μｍ的线宽，ＮＥＣ制成了在１．ＳＶ电压和低持续电流条件下延迟时间为１６．７ＰＳ的超高......
据《NEC技报》1996年第5期报道，NEC最近开发了栅长为0．07μm的CMOS。在1．5V电源电压下，其迟延时间为19．7ps。这种0．07μmCMOS器件采用如......
一、概述离子注入技术作为半导体集成电路制作工艺中的新型掺杂技术，具有均匀性好、重复往高、分布随意、掺杂精度准确等优点，已被广......
离子注入技术已被应用于气敏材料的开发研究，这是离子注入技术的一个较新的应用领域。本文介绍离子注入技术对气敏材料表面层组分、......
介绍了在宽禁带半导体６Ｈ－ＳｉＣ材料上制作的反型沟道和掩埋沟道栅控二极管及ＭＯＳＦＥＴ。器件的制作采用了热氧化和离子注入技术。因为６Ｈ－ＳｉＣ禁带宽度为３ｅＶ，用ＭＯＳ电......
在ＧａＡｓ集成电路和器件研制中，离子注入是关键技术之一．介绍了用离子注入ＧａＡｓ形成ｎ型和ｐ型区，以及离子注入ｐ型和ｎ型ＧａＡｓ形成绝缘层、形成ｎ＋ＧａＡｓ深埋层等重要技......
中国科学院上海微系统与信息技术研究所在层数可控石墨烯薄膜制备方面取得新进展。研究人员设计了Ni/Cu体系,并利用离子注入技术引......
简要介绍了全方位离子注入技术领域近几年国际上出现的几项新技术。
This paper briefly introduces several new technologies i......
1 超微细 MOS 中的离子注入对于离子注入技术,可以说从浅结注入开始大约已有10年的研究历史,有关该技术的研究结果已有一些已经发......
在新材料研制的领域内正卷起新的旋风,正如应用离子注入技术给半导体制造带来了革新那样。这种离子注入技术应用于铁,其耐磨性提......
一、引言近几年来,离子注入技术在金属方面的研究和应用越来越引起人们的重视。但是金属材料的研究要求注入剂量高(一般在10~(17)......
据英国聚合物挤压问题的塑料和橡胶学术会议报道,利用离子注入技术,能够使注塑模和挤压工艺中所使用的工具及模子的磨损大大减少,......
离子注入技术是将某种元素电离后,加速成高能的离子束注入固体靶中,以改变靶体材料表面的物理化学性能。离子注入新技术用于对金......
前言离子注入技术除了已成功地应用于半导体器件的掺杂和模拟反应堆材料的辐照损伤以外,近年来,其研究和应用范围又扩大到金属材......
离子注入技术在六十年代后期受到重视,发展较为迅速,首先用于半导体器件的制造,迄今已成为制造集成电路元件的重要方法。所谓离子......
离子注入用于半导体器件和大规模集成电路的生产中,显示出这种工艺的许多优越性。七十年代初期,哈威尔实验室等研究部门开始进行......
本文阐述GCr15轴承钢表面氮离子重叠注对钢的表面硬度、耐磨性及接触疲劳寿命的影响。研究结果表明,氮离子重叠注可提高轴承钢的性......
阐述了离子注入技术在机械工程中的应用及作用过程,改性机理和发展动向.
The application, action process, modification mechan......
离子注入技术是一项新兴的金属处理方法,于80年代初开始在工业上应用,可提高金属表面的硬度、耐磨蚀、抗氧化、抗腐蚀和抗疲劳性能......
离子注入技术作为一种新兴的材料表面改性手段,得到普遍的重视和迅速的发展。本文着重介绍了在提高惯性器件和轴承材料表面硬度、......
表面处理和涂镀层技术的发展水平有许多领域可作为其标志。例如:PPW(等离子粉末焊接)和RES(电阻电渣堆焊)等新工艺的问世;离子注......
离子注入技术已超出了半导体工业的范围,成为材料科学中强有力的研究手段,并在材料改性领域中开始了工业应用。有人认为离子束技......
本文简述了离子注入技术的特点、原理和装置;介绍了目前国内外离子注入机的类型和主要参数;详细地综述了离子注入技术在提高金属材......
9206001 功率半导体器件的Al和Ga离子注人技术——Watanabe M.J.Electrochem.Soc.,(USA)1990,(137):2604(英文) 离子注入Al和Ga进......
本文采用先进的离子注入技术改善金属铍的表面性能。文中选用单一能量注入N~+和分级能量注入N~+两种工艺来强化RJY-40铍的表面,均......
轴承钢对回火十分敏感。离子注入强化轴承表面的效果取决于注入掺杂强化和注入回火的竞争。运用电子能谱、RBS、XRD、显微硬度、粗......
本文从航空机载设备的发展提出了对特种加工技术的需要,进而介绍了机载设备行业应用较多的激光加工、电子束加工、离子束加工、电......
离子掺杂技术和“离子束——材料相互作用”机制的研究是材料科学与核物理与核技术相结合而发展起来的新兴领域。它研究小型低能......
中南林业科技大学森林培育种子标本室建于20世纪60年代,经过几代人的努力,现有标本5000多份,其中经济林品种200多个,标本2800多份,......
6月7日应用材料公司宣布推出半导体业界最先进的单硅片大电流离子注入系统,即全新的AppliedVarianVIISta Trident系统。通过嵌入“......
近年来,作为一种提高材料表面性能的新方法——离子注入技术,已引起人们广泛的兴趣,并已投入工业应用。这是我国军转民技术转移中......
通过模拟的方法,研究了n型4H-SiC材料中Al离子注入深度、浓度分布与注入角度、缓冲层厚度、注入能量和剂量的关系。通过不同能量和......
离子注入在太阳电池上发展已比较成熟,特别是磷注入在p型量产电池上的应用也非常广泛和成功,但在n型电池上的应用并不多见.基......
