深亚微米器件相关论文
从数值解源端和饱和点的表面电势出发 ,考虑模拟电路对 SOI MOSFET模型的一些基本要求如电荷守恒、器件源漏本征对称、各个工作区......
期刊
描述了影响硅器件性能的二氧化硅中的缺陷,介绍了氧空位的概念,分析计算了随机氧空位对栅漏电流的影响。模拟结果表明:当氧空位在......
随着CMOS集成电路特征尺寸的不断缩小,特别是在其发展到深亚微米阶段之后,CMOS器件面临着负偏置温度的不稳定性、栅氧化层经时击穿......
在分析深亚微米工艺下芯片的差分静态电流（△Iddq）测试原理的基础上，提出了一套深亚微米工艺下芯片的△Iddq辅助测试解决方案。通过样......
研究了深亚微米PD和FD SOI MOS器件遭受热载流子效应(HCE)后引起的器件参数退化的主要差异及其特点,提出了相应的物理机制,以解释......
传统的薄膜材料制造方法已不能满足未来元器件和集成电路制造的要求,原子层沉积技术由于具有精确的厚度控制、沉积厚度均匀性和一......
分析了 ＣＭＯＳ逻辑电路的功耗来源，从降低电源电压、减小负载电容和逻辑电路开关活动几率等方面论述了降低功耗的途径。讨论了深亚微米器......
