栅漏电流相关论文
随超大规模集成电路的发展,栅氧化层的质量在器件和电路的可靠性方面起非常重要的作用.应力诱导漏电流(SILC)已经成为评价栅氧化层......
本文着重探讨了用于90纳米技术的等离子氮化超薄栅氧化层(Plasma nitridated Oxide)的特性.研究了超薄栅氧化层(EOT=1.5纳米)中氮......
该文提出将背栅、光敏、无栅漏电流的均匀性等在片检测参数作为评价半绝缘GaAs单晶质量的另外几个标称参数，并将其结果与低噪声GaAs......
随着半导体技术的不断发展，行业对器件的工作速率和可靠性等性能提出越来越高的要求，GaAs和InAlAs等在内的高载流子迁移率III-V族化......
描述了影响硅器件性能的二氧化硅中的缺陷,介绍了氧空位的概念,分析计算了随机氧空位对栅漏电流的影响。模拟结果表明:当氧空位在......
随着MOSFET尺寸的不断减小，栅漏电流对器件特性的影响日益明显。栅漏电流噪声一方面影响器件性能，另一方面可用于栅介质质量表征，因此......
Si CMOS技术以其低能耗、高集成度、高效率、高可靠性以及优良的噪声性能在集成电路中占据统治地位。对于深亚微米尺寸的器件,为了......
MOS器件（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor-MOSFET）的特征尺寸已经降到32nm以下,器件的沟道电容、工作电压、漏极......
随着集成电路的快速发展,等比例缩小技术已经不能满足摩尔定律,应变硅MOS器件成为后硅时代研究的热点。应变硅技术通过拉伸或压缩......
学位
随着集成电路集成密度的不断增加,金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的特征尺寸越来越小,并且逼近其物理极限。本文主要研究......
