快恢复二极管相关论文
本研究重点介绍少数载流子寿命控制技术中的全域少数载流子技术和局域少数载流子技术及不同细分的少数载流子寿命控制技术的优缺点......
近些年来,电子电力技术发展推动了变频电路、汽车电子、开关电源的应用市场不断扩大。而在这些应用中,功率二极管作为最常用的基础......
硅外延片材料是现代大规模集成电路硅器件的基础专用功能材料,硅材料是电子信息产业的基础与支柱材料。其中,硅外延在半导体器件中......
采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅结势垒肖特基(JBS)二极管,耐压达到1200V,封装的器件电流室温达到5A(正向压降2.1V)。通过在......
脉冲功率技术是一种将电磁能量在空间和时间上压缩,然后在短时间内释放出巨大电磁能量的技术。在上个世纪,它首先是应用在高能物理......
新能源汽车电池输出的直流电通过IGBT进行逆变,将直流电转换为交流电驱动马达工作,每颗IGBT均需搭配一颗快恢复二极管用作续流。通......
三电平结构变流器将两个开关器件串联承受母线电压,能解决单个器件承受电压能力有限的问题。IGCT是从GTO基础上发展起来的新型电力......
600V IGBT(Insulated-Gated Bipolar Transistor)产品广泛应用于电磁炉、微波炉、变频空调、UPS等消费电子中,需要反向并联二极管,......
CSTBT（Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor）是基于槽栅IGBT（Trench Insulated-Gated Bipolar Transistor，TIGBT）结构的一种......
基于改善快恢复二极管的的动态特性，通过对二极管的横、纵向参数来进行分析，理论上提出了快恢复二极管的设计方法，并且结合SILVACO—T......
电磁干扰一直是直流脉宽调速系统中一个很严重的问题,尤其是电力电子器件在开通和关断时刻产生的干扰,它不仅影响系统的控制性能,......
探讨了快恢复二极管制造过程中，选择适当的复合中心能级去调整快恢复二极管软度因子和软度的可行性。实验结果说明，选用σｐ／σｎ比值较小......
二极管的反向恢复特性在IGCT-MMC中起着重要的作用。首先介绍快恢复二极管的反向恢复特性,然后在IGCT-MMC拓扑中介绍快恢复二极管......
项目简介在快恢复二极管的参数中反映二极管开关速度的参数通常是用trr来表征。但是，在实践过程中trr存在许多不确定性。首先，相同的......
随着电力电子技术的微型化、智能化、节能化发展,影响其关键特性的核心部件功率半导体的重要性得到了重新认识,市场需求量也越来越......
为了在汽车内给手机充电，近日购置了一只“车载手机电源转换器”，根据使用说明，是从汽车点烟器插座得到的汽车蓄电池12V低压电源，再转......
为满足中高频大功率市场对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和高速恢复二极管(FRD)芯片的需求,通过对IGBT的元胞结构采用背面集电极发射效......
针对直流断路器用压接型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片电流分布的问题,基于内快恢复二极管(FRD)外IGBT的对称布局方式建立3.3kV/3k......
为充分发挥氮化镓(Gallium Nitride,GaN)功率器件的高频开关优势,其栅控制驱动芯片工作频率也应得到相应提升。由于自举二极管特性......
采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅肖特基（SBD）二极管,耐压超过600 V。正向压降为1.6 V时,器件电流达到30A。作为IGBT续流二极管......
黄山电器有限责任公司，这个座落在皖南深山中的名不见经传的民营小企业，从专业生产整流二极管芯片起步，以创新换真“芯”、真“芯”促......
在现代的电力电子系统中IGBT（Insulate-gated Bipolar Transistor）常常需要与反向并联的快恢复二极管（Fast Recovery Diode，简称为FRD）......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
基于现代电力电子技术的发展要求,与主功率开关器件并联起箝位或缓冲作用的快速二极管应具有低的正向导通损耗与超快超软的恢复特......
在这篇文章中,介绍了平面型SONIC软恢复二极管的新系列,电压范围从600V到1800V,并有不同的额定电流.采用从硅片背面进行深的磷扩散......
大功率快恢复二极管(FRD)广泛应用于电力电子领域,作为续流二极管与三端功率器件并联使用,是现代电力电子技术中的关键器件。随着......
20世纪80年代末期和90年代初期发展起来的功率MOSFET和IGBT为代表的集高频、高压和大电流于一身的功率半导体复合器件研制成功,并......
<正>2010年5月27～30日,江苏宏微科技有限公司参加了第15北京·埃森焊接与切割展览会。展会期间,公司面向专业观众推出了切割机专用......
介绍绝缘栅双极型晶体管(insulated-gate bipolar transistors,IGBT)与快恢复二极管(fast recovery diode,FRD)匹配技术的特点和优......
动态雪崩问题是影响高压硅功率二极管如高压快恢复二极管(FRD)坚固性的一个主要因素。文中通过仿真计算,比较了高压FRD两种不同终......
快恢复二极管(Fast recovery diode,FRD)是重要的功率器件,广泛应用于智能电网、新能源汽车、光伏和轨道牵引等重要场合,具有重要......
随着电力电子系统不断发展,逆变模块的重要性日益剧增,其作用为将直流电转化为交流电。在逆变模块中,需要快恢复二极管与开关管并......
p-i-n二极管相对于p-n结二极管增加了一个本征区(又称为基区),这使它更广泛的应用于整流、限幅、射频、光电探测器等电力电子、光......
目前,单片集成智能功率芯片在家用电器和交流电机中得到了广泛的应用。厚膜绝缘体上硅快恢复二极管(Silicon On Insulator-Fast Re......
ＥＸＢ８４１的缺点及其改进措施北京电力电子新技术研究开发中心王晓秋ＤｉｓａｄｖａｎｔａｇｅｓｏｆＥＸＢ８４１ａｎｄＩｔｓＩｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔＳｔｒａｔｅｇｙ￥／／１前言ＩＧＢＴ驱动模块ＥＸＢ８４１已广泛应用于开关电源、ＵＰＳ、逆变焊机、斩波调速等诸.........
从理论和实际两个方面阐述了快恢复二极管在功率晶体管保护电路和直流电动机续流电路中的应用，以及在应用中如何选取适当的型号。......
论文从快恢复二极管的理论原理开始阐述，研究和探讨了二极管反向恢复时间、正向压降、反向击穿电压等各参数之间的关系和设计思路，对......
<正> 在准谐振软开关变流器中,分析功率MOSFET的开关损耗,研究软开关变流器对驱动电路的要求以及合适选择与之配合使用的二极管和......
近年来,随着电力电子技术的发展,快恢复二极管在开关电源等电路中得到越来越广泛的应用。在快恢复二极管的制造中,减小器件少子寿......
随着日益严重的能源问题和环境问题使得人们对电能变换的效率、品质越来越关注，也引导了功率半导体器件沿着高效率、高频率、高耐压......
随着电力电子技术的发展,各种变频电路、斩波电路的应用不断扩大,在这些电力电子电路中的主回路不论是采用换流关断的晶闸管,还是......
本文简要阐述了固态断路器中快恢复二极管的反向恢复问题,详细分析了二极管的关断过程,建立了二极管反向恢复的集总电荷模型,并在M......
二极管作为最基本的器件,在电子电路中的应用非常广泛。而随着IGBT和MOS管等器件的发展,对二极管的方向恢复性能的要求越来越高。......
利用化学气相沉积方法制备所需硅外延层,通过FTIR(傅里叶变换红外线光谱分析)、C-V(电容-电压测试)、SRP(扩展电阻技术)等多种测试......
传统的快恢复二极管,为了缩短反向恢复时间,通常采用电子辐照来减小基区的少子寿命,但电子辐照在降低器件的反向恢复时间的同时,也......
以高压大容量变换器中的快恢复二极管为研究对象,结合集总电荷模型和功能模型,提出一种新的二极管混合模型。模型采用四个阶段准确......
介绍了混合pin/肖特基(MPS)二极管快恢复二极管的工作原理,基于人们对与主功率开关器件并联起箝位或缓冲作用的快速二极管提出的高......
