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通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法，并利用复合胶结构，一次电子束曝光制作出具有T型栅的HFET(HeterojunctionField－EffectT......

通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法，并利用复合胶结构，一次电子束曝光制作出具有T型栅的PHEMT器件，并对0．1μm栅长PHEMT器件......

通过混合曝光的方式模拟HDR效果，对过曝的天空和欠曝的地面图像来说，只需各取所长，就能得到最佳结果。......

Ｉ－线光致抗蚀剂可以同时被电子束和光学曝光系统曝光，在５０ＫＶ加速电压下，其曝光剂量为５０－１００μＣ／ｃｍ＾２，曝光后在０．７％ＮａＯＨ溶液内显影１ｍｉｎ。其灵敏度比ＰＭＭＡ快５倍，分辨率为０．５μｍ。采......

通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法，并利用复合胶结构，一次电子束曝光制作出具有Ｔ型栅的ＨＦＥＴ（Ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ Ｆｉｅｌｄ－Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）器件，并对０．１μｍ栅长ＨＦＥＴ器件的整套工艺......

通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法 ,并利用复合胶结构 ,一次电子束曝光制作出具有 T型栅的 PHEMT器件 ,并对 0 .1μm栅......