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锂金属负极由于具有超高的理论比容量(3860 m Ah g-1)、低密度(0.59 g cm-3)和最低的氧化还原电位(-3.04 V相对于标准氢电极)而被......
过去三十年中,有机半导体材料、分子材料电荷输运物理和有机薄膜晶体管(OTFTs)器件制备等方面的进展,大大推动了OTFT研究领域的进......
MgO薄膜由于具有次级电子发射系数(δ)高、化学稳定性好,已广泛应用于多种光电倍增管、微通道板图像增强器、等离子体平板显示器。......
自从1974年，英国南安普顿大学的Martin Fleischmann发现表面增强拉曼散射(SERS)现象以来，SERS引起了科学研究人员的广泛关注，并在单分......
本文依据L.Holland的膜厚公式和I.A.Neil的关手光学元件表面的数学表达式讨论了热蒸镀形镀膜机的膜厚均匀性,计算了平面、球面。高......
在高真空状态下采用孔径为40nm的超薄阳极氧化铝（AAO）模板作为掩膜进行金的热蒸镀，制备了平均粒径为35．5nm、填充密度为1．45×10^10......
用纳米压印工艺制备红外金属光栅时,硬模板压印极易造成光栅结构缺陷致使光栅性能下降。本文采用柔性纳米压印工艺作为替代方法制......
厚度低于5μm 的AlMg合金箔材可作为带材切割的原材料应用于Z箍缩物理实验.利用热蒸镀方法,通过控制沉积速率在超光滑的NaCl基片上......
硒化亚锗(GeSe),作为一种Ⅳ-Ⅵ族硫族化合物,具有合适的带隙值(1.14 eV)、较大的吸收系数(105 cm-1)、良好的空气稳定性、组成元素......
采用热蒸镀法在氟掺杂的锡氧化物（fluorine-doped tin oxide，FTO）导电玻璃衬底上沉积了一层WO3薄膜，运用X线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SE......
热电器件能够实现热能和电能的直接转换,可用于温差发电、制冷和温度传感。在许多分散的、小功率热电转换场合,小型或微型热电器件......
基于传统工艺，新研制开发了一套非晶硒合金膜制备的设备和工艺流程。实验采用高真空电阻加热蒸镀方法，已制备出面积为180mm×180......
本文以原子级平整的云母和硅片作表面模板,用PVD热蒸镀的办法分别沉积上1.3nm和5.0nm的金膜。以云母和硅片为模板沉积的1.3nm厚金......
在2010年,Geim博士由于其在2004年通过机械剥离的方法制作出了二维单层石墨烯的工作而一举斩获了诺贝尔物理学奖掀起了二维材料的......
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