Ⅱ-Ⅵ族半导体相关论文
低温光致发光微计算机测试系统(PL-PC)是应用IBM-PC微计算机和先进的具有软件的数据采集系统(Keithley DAS Series 500)等配接到低......
近年来，一维纳米材料及其有序阵列由于其新颖的物理、化学性质以及在许多领域所展示的潜在的应用前景，已成为当今纳米材料的前沿和研......
Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米微晶以其新颖的物化特性以及在紫外和蓝色发光及激光器件等方面的潜在应用前景而成为纳米技术研究的热点，对其进......
本工作主要是采用多步离子交换法在层状硅酸盐Magadiite、Octosilicate以及δ-Na2Si2O5主体材料中形成ZnS、ZnO、CdS以及三元Zn1-x......
低维Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米材料由于其新颖的物理、化学和生物学特性以及在纳米器件和生物医药领域中的潜在应用价值成为当今纳米技术......
本文系自1979年以来,宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体研究组取得的主要研究成果的简要介绍.取得的主要研究成果可分为如下六个方面:第一,系统地......
考虑压力对有效质量的影响,讨论电子迁移率随压力的变化,分别计算并比较了体ZnSe、ZnSe/GaAs外延层以及ZnSe/ZnS超晶格系统中电子......
以巯基乙酸为稳定剂在水溶液中合成了水溶胶CdSe/CdS核/壳结构的量子点, 利用X射线粉末衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对量子点......
纳米硒化物作为一类重要的半导体纳米材料,在生物标记,太阳能电池,激光器等领域有着广泛的应用。本文综述了硒化物半导体纳米材料......
介绍了单分散量子点的无机成核/有机包裹的合成方法,并通过选择性沉淀可以得到单分散的半导体量子点;介绍了TEM,XRD,UV-Vis吸收谱......
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半导体材料的不断创新与现代信息产业日新月异般的发展是息息相关的。半导体材料按其组成元素所在的元素周期表位置大致可分为Ⅱ-......
ZnO及其它Ⅱ-Ⅵ族半导体材料由于其优异的性能而在光电、压电、热电、铁电等诸多领域被广泛应用。自上世纪90年代ZnO薄膜在室温下......
采用近空间升华法制备了CdZnTe薄膜,并对其进行CdCl2退火,采用扫描电镜（SEM）、能谱仪（EDS）、X射线衍射仪（XRD）、紫外光谱仪、I-V测试仪等......
硒化镉（CdSe）是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,在核辐射探测、非线性频率转换等方面都有着重要的应用。高纯原料是生长优质CdSe单晶,......
光电探测器是一种能够将入射光信号转换成电信号的光电子元器件,作为我们日常使用的许多光电子器件中的一个重要组成部分,光电探测......
核科学与核技术的发展为人类社会带来了巨大利益。当今世界无论在军事还是核能工业,甚至在工业和医学中放射性材料的使用也非常广......
近年来 ,固体激光器取得了重要的进展及许多新的激光晶体材料 ,并且器件水平也不断提高。特别是出现了过渡金属离子掺杂的 - 族......
本文围绕制备大面积一维纳米半导体材料阵列这一主题,利用水热法和层层沉积法制备了一系列大面积生长的有序阵列,并研究了它们的场......
研究了用分子束外延设备在GaAs(001)衬底上异质外延生长ZnSeTe单晶薄膜材料的工艺技术。在VI族元素富集条件下,通过调节Se/Zn束流......
相对于Ⅱ-Ⅵ族二元化合物,三元合金在调节带隙宽度和晶格常数上的灵活性使其应用前景更加广阔,并有希望解决Ⅱ-Ⅵ族材料普遍存在的......
