界面缺陷态相关论文
当In组分为0.18时,由于InAlN和GaN晶格匹配,InAlN/A1N/GaN HFET成为新一代HFET的研究热点,本文通过平行电导法计算界面缺陷态,发现......
薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）作为当前主流的显示技术,已经经过了近30年的发展,发展出几个不同的技术方向,分别为高温多晶硅、低温......
学位
近年来，作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表，GaN基氮族半导体器件在高温.高频.大功率器件领域具有广阔的应用前景，在国内外得到了......
双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管（DG a-IGZO TFTs）具有比单栅a-IGZO TFTs更优良的电学性能.文中基于a-IGZO/SiO_2界面缺陷态呈指数型分布......
伴随着半导体技术的不断进步,半导体器件的尺寸持续缩小。传统的浮栅型存储器也同样面临着器件尺寸小型化的挑战。当半导体器件的......
有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池（PSCs）在仅八年时间里获得了突破性进展,其光电转换效率已经超过22.7%。从长远的角度考虑,PSCs势必要......
宽禁带半导体氮化镓（GaN）具有高击穿电场、高饱和电子速率、高电子迁移率和高热稳定性等优越的物理特性,是制备高电子迁移率晶体管（HE......
近年来,作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表,GaN基氮族半导体器件在高温.高频.大功率器件领域具有广阔的应用前景,在国内外得到......
