C-V测量相关论文
利用电容-电压(C-V)测量研究了界面陷阱对于硅纳米晶粒基金属-氧化物-半导体(MOS)电容结构的电荷存储特性的影响.研究表明硅纳米晶......
用分子束外延 (MBE)设备制备了 Ga As/ Al As和 Ga As/ Si/ Al As异质结 ,通过 XPS分别研究了异质结界面处 Si层厚度为 0 .5 ML 和......
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通过分析钛酸铋铁电薄膜材料MFS结构的C-V特性曲线，发现经过快速退火工艺处理的钛酸铋铁电薄膜的剩余极化强度Pr提高，界面上固定电荷......
主要半导体生产商最近承认,开发和生产先进IC卡迫切需要晶片级射频测量.在某种程度上,这一直是ITRS建模与仿真技术工作组所倡导的：......
电容-电压（C—V）测试广泛用于测量半导体参数，尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外，利用CV测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特......
吉时利仪器公司宣布推出4200-CVU，为4200-SCS半导体特性分析系统新增C-V测量功能。4200-CVU能以测量模块的形式插入4200S-CS的任意......
本文报导了MOS结构在准静态测试中的异常电容-电压曲线。讨论了它们产生的原因。...
本文叙述了通过自动电化学C-V剖面图技术,在宽的掺杂和深度范围内,载流子浓度纵向分布的测量。用电化学C-V剖面图技术,可以对扩散......
本文指出DX中心电容测量中边区的重要性,提出一种新的瞬态C-V方法,可以用来测量DX中心浓度、导带电子浓度和边区的空间电荷分布及......
准静态Ｃ—Ｖ测量中的工频噪声滤除新方法＊李同合陈光遂高捷（西安交通大学微电子工程系西安７１００４９）０引言半导体界面陷阱密度Ｄｉｔ是表征Ｓｉ－ＳｉＯ２界面性质的一个......
