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用分子束外延 (MBE)设备制备了 Ga As/ Al As和 Ga As/ Si/ Al As异质结 ,通过 XPS分别研究了异质结界面处 Si层厚度为 0 .5 ML 和......
通过分析钛酸铋铁电薄膜材料MFS结构的C-V特性曲线,发现经过快速退火工艺处理的钛酸铋铁电薄膜的剩余极化强度Pr提高,界面上固定电荷......
主要半导体生产商最近承认,开发和生产先进IC卡迫切需要晶片级射频测量.在某种程度上,这一直是ITRS建模与仿真技术工作组所倡导的:......