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随着摩尔定律的发展,基于MOS结构的存储器件逐渐逼近物理极限。同时,尺寸微缩和工艺迭代的成本壁垒迫使产业界寻找新的存储方案。......
硫化镉(CdS)作为被研究最多的金属硫族化合物之一,具有优异的物理化学特性,可以作为高性能的光电探测器。但是,由于CdS带隙宽度的......
多孔硅是一种具有优良光吸收特性的表面微结构材料，在光电探测器和太阳能光伏电池领域具有良好的应用前景。为了改善金属/多孔硅电......
通过对p型CdZnTe（111）面的结构分析,用真空蒸发法在p型CdZnTe晶体（111）面制备出Au/Zn复合电极,运用金相显微镜、AFM测试、SEM剖面观察......
六方氮化硼是一种典型的宽禁带III-V族化合物半导体,它的禁带宽度达到5.97eV,且其具有压电效应以及良好的紫外吸收特性,同时它有高......
氮化硼（BN）材料具有立方氮化硼（cBN）、六方氮化硼（hBN）、三方氮化硼（rBN）、纤维锌矿结构氮化硼（wBN）四种晶体结构，其中cBN和hBN因其宽的禁带宽......
本文通过附着力测试，应力模拟和IV特性及多道能谱分析对Au—CZT与Au／Cr—CZT接触进行研究。结果表明采用Au／Cr复合电极可提高电极附着......
本文主要对InP基相关器件和工艺尤其是InP基金半接触,InP/InGaAs红外探测器,以及其中的钝化工艺做了较为深入的研究。首先系统研究......
