硅中氧相关论文
本文对直拉单晶硅材料生长外延重掺硼的晶硅薄膜，并在高温下烧结与以往的铝吸杂比较，通过改变背场烧结的工艺条件来改善电池性能。并......
本文研究了微氮直拉硅单晶中的氧化诱生层错,指出,氮能促进硅中氧的沉淀.与非含氮硅单晶相比,含氮硅单晶中引起的OSF密度较小,这可......
本文研究重掺硅中氧的测定,实验首先选用轻掺(ρ＞10Ω·CM)样品分别用氧体熔化分析法(GFA法,LECO RO-416测氧仪)和付立叶变换红外法......
探讨了太阳能级硅中氧杂质对电池性能可能的影响，并据此对激光刻槽埋电池的工艺加以优化。在此基础上，制作的大面积（２５．２５ｃｍ〈’２〉）太阳电池的......
硅单晶中氧的浓度取决于其在溶体和晶体中的分凝。该文利用Ｆｏｕｒｉｅｒ变换红外光谱仪研究了硅熔体中氧的分凝，实验指出氧的平衡分凝系数Ｋ〈，０〉小......
铸造多晶硅是低成本高效率的新型太阳能光电转换材料，其中氧是重要的杂质。该文研究了在原生铸造多晶硅中氧的宏观、微观分布性质、......
该文对不同中子辐照剂量直拉硅(NTDCZSi)在850℃ˉ1150℃退火氧的扩散分布用热转的扩散电阻法(TCSR)进行了测量,通过对氧外扩散曲......
本文介绍采用密闭热系统拉晶工艺拉制单晶的情况。试验表明，密闭拉晶不仅有利于减少电耗和氩气消耗，而且可有效地降低硅单晶的氧含量......
在用二次离子质谱（SIMS）进行重掺砷硅单晶中痕量硼的定量分析时，有时会出现硅片表面局部区域硼浓度非常高，接近10^16atom／cm^3的现象。......
研究了重掺硅中氧的测定，实验首先选用轻掺（ρ＞10Ω·cm)样品分别用气体熔化分析法（GFA法）和傅里叶变换红外法（FTIR法）测氧，而后用GFA......
利用变温FTIR测量和变温Hall效应测量方法,探讨了在室温(RT)至475℃温度范围内,硅中9μm峰的中心位置及其红外吸收系数随温度变化......
用高空间分辨本领的富利埃变换红外光谱研究了CZ法生长硅薄片中氧的沉淀.用此技术我们能探测到单个沉淀物的聚集所贡献的1230cm~(-......
实用型硅单晶中氧、碳含量自动测量分析软件是WQF系列傅立叶变换红外光谱仪的中文显示专用软件,主要用于硅单晶(直拉硅、区熔硅)中......
应用红外光谱、高分辨透射电镜研究了高碳CZ硅中的氧沉淀.实验表明:高碳样品中有两种成核长大机制形成的氧沉淀,一是多碳中心的异......
