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硅微腔相关论文
一种在深硅刻蚀工艺中减小底部圆角的方法
由于存在化学刻蚀的各向同性作用,不可避免地会在等离子体深硅刻蚀工艺中出现底部圆角,而过大的底部圆角给许多工艺应用带来不利影......
期刊
深硅刻蚀
减小底部圆角
硅微腔
硅通孔(TSV)
先进封装
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