深硅刻蚀相关论文
针对环境污染、无创医疗、生化武器、爆炸物等方面对气体的便携式、现场快速检测的需求,高场非对称波形离子迁移谱（FAIMS技术）的原理......
为避免深硅刻蚀工艺所引起的扇贝纹效应，同时减少其工艺气体所带来的温室效应，本文将新一代环保电子刻蚀气C4F6引入硅刻蚀工艺，采用刻......
期刊
不断革新的半导体工艺促使传统传感器不断向着小型化、智能化、多功能化发展,其中,对电容式微型气体/湿度传感器的研究也在MEMS技......
硅基光电子芯片的端面耦合器具有大带宽、低损耗、偏振不敏感等优点,使人们希望在端面封装方面获得突破.提出了一种用于硅基光电子......
微系统真空封装中真空度的保持性能在很大程度上决定了器件的最终性能、工作的可靠性及其寿命，而对封装体内真空度的测试，是真空封装......
针对现实环境下加速度方向多维测试的需求,提出了一种“四边八梁”的MEMS低加速度g(g=9.8 m/s 2)值压阻式三轴加速度传感器。根据......
CMUT面阵上电极引线随着阵列数目的增多越来越难实现,根据这一情况提出使用硅通孔互连的方法将上电极引到器件背面,通过通孔和微凸......
Micro-PNT系统与卫星导航和惯性导航技术相结合,可构建不受时间、地域、空间限制的自主、实时、连续的PNT网络,实现在国民经济、军......
加速度传感器是惯性测量系统的核心部件,在矿产、油气田资源勘探等地质勘探方面有着广泛的应用。随着地质结构勘探对精度要求的不......
水听器是基于水声学原理制造的可以测量流体中声场的器件。随着人们对深海环境的不断深入研究以及海洋军事科技的发展,流体环境需......
由于SEM显微镜、FIB显微镜检测高深宽比硅通孔耗时、费用高，研究了垂直扫描白光干涉技术检测硅通孔的可行性。设定刻蚀/钝化时间比......
本文通过微桌面深硅刻蚀系统对非BOSCH三元气体刻蚀工艺进行了研究。对比了SF6/O2、SF6/C4F8、SF6/O2/C4F8三种刻蚀气体对于硅刻蚀......
提出了用氧化铟锡(ITO)作为掩膜对硅与玻璃的键合片进行深硅刻蚀的工艺。ITO薄膜采用直流溅射工艺常温生长,避免了传统等离子体化......
在一个人们期望即时信息的社会,等上几秒钟,时间似乎变得很长。随着万亿传感器的视野和物联网（I OT）互联网的不断发展,对于＂智能传感......
期刊
通过使用深硅等离子刻蚀机,以C4F8和SF6为刻蚀气体,对以光刻胶与金属铝两种材料作为掩模的深硅刻蚀结果进行对比,研究了深硅刻蚀过......
基于相干布居囚禁(Coherent Population Trapping,CPT)原理的被动型原子钟,由于摆脱了微波腔的束缚,相比于主动型原子钟,在很大程......
增大敏感结构厚度是提高微机电陀螺性能的一个途径.对大厚度敏感结构,在刻蚀过程中易出现“长草”、“缩口”和“屋檐”等典型缺陷......
加速度计是惯性测量系统的核心部件之一,在地质勘查、矿产与油气田资源勘探、重力辅助导航等领域有广泛的应用,这些应用对加速度计......
<正>八项半导体设备被评为2013年度的中国半导体设备创新产品2014年1月21日中国电子专用设备工业协会、中国半导体行业协会、中国......
感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是微机电系统器件加工中的关键技术之一。利用英国STS公司STS Multiplex刻蚀机,研究了ICP刻蚀中极......
微纳加工是近年来一门发展迅速,且涉及多学科的交叉加工技术。通过微纳加工技术制备的许多微纳结构在光电探测器,气体传感器以及太......
<正>2015年1月28日中国电子专用设备工业协会、中国半导体行业协会、中国电子材料行业协会、中国电子报在北京共同举办了"第九届(2......
硅硅直接键合SDB（Silicon Direct Bonding）技术是晶圆键合技术中发展最迅速的新型微机械加工技术，在微型传感器和执行器制备中有着越......
反应离子刻蚀(RIE)作为微加工技术中的核心工艺环节,对半导体器件制造有着重要影响。其外延的深反应离子刻蚀(DRIE)结合了物理和化......
原子钟是目前最精确计时仪器和频率标准,在定位与导航、航空航天、高速调频通信、守时与授时等领域有着广泛的应用。然而传统的原......
为实现Faims气体传感器梳齿型离子迁移区的设计,文中采用感应耦合等离子体（ICP）刻蚀技术进行大深宽比梳齿型结构的深硅刻蚀。影响刻......
