硅通孔(TSV)相关论文
基于硅通孔(TSV)技术,可以实现微米级三维无源电感的片上集成,可应用于微波/射频电路及系统的微型化、一体化三维集成.考虑到三维......
由于存在化学刻蚀的各向同性作用,不可避免地会在等离子体深硅刻蚀工艺中出现底部圆角,而过大的底部圆角给许多工艺应用带来不利影......
本文介绍一种可用于硅片应力检测/监测的红外光弹性系统(IRPE)，并应用该系统首次揭示了硅通孔(TSV)结构在热循环过程中的应力变化，发......
研究了利用Cu/Sn对含硅通孔(TSV)结构的多层芯片堆叠键合技术。采用刻蚀和电镀等工艺,制备出含TSV结构的待键合芯片,采用扫描电子......
针对碳纳米管填充的硅通孔(TSV)的信号传输性能优化问题,提出一种新型的基于同轴型混合碳纳米管填充的硅通孔结构。在内外层管束交......
为避免传统的探针检测对硅通孔(TSV)造成损伤的风险,提出了一种非损伤的TSV测试方法。用TSV作为负载,通过环形振荡器测量振荡周期......
建立了3D堆叠芯片硅通孔(TSV)单元体模型,在单元体总体积和TSV体积占比给定时,考虑电-热-力耦合效应,以最高温度、(火积)耗散率、......
采用微电子机械系统(MEMS)体硅三维异构集成技术,设计了一种应用于雷达的四通道瓦片式三维集成T/R模块.该模块由三层硅基封装堆叠......
随着5G和人工智能等新型基础设施建设的不断推进,单纯通过缩小工艺尺寸、增加单芯片面积等方式带来的系统功能和性能提升已难以适......
传统焊料合金由于熔点温度高,不能满足部分有机基板、温度敏感器件以及3D封装等多层封装形式的低温封装要求.以Sn-Bi合金为基体,通......
硅通孔(TSV)技术是一种先进的封装技术,化学机械抛光(CMP)是集成电路TSV制作过程中的重要步骤之一,是可兼顾材料表面局部和全局平......
为了完成有源芯片上小孔径、高深宽比硅通孔(TSV)的制作,研究了基于电感耦合等离子体(ICP)技术的SiO2微孔深刻蚀工艺,实现了以C4 F......
研究了基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法的硅通孔(TSV)中(孔径5μm,深宽比10∶1)二氧化硅(SiO2)薄膜的生长技术.分析了低频......
随着信号频率以及芯片集成密度的持续增长,三维集成系统内部面临严重的耦合噪声问题.针对三维集成技术中广泛使用的硅通孔(TSV)和......
为了满足异质集成应用中对转接板机械性能方面的需求,提出了一种基于双面硅通孔(TSV)互连技术的超厚硅转接板的制备工艺方案.该方......
研究了三维集成电路(3D IC)中硅通孔(TSV)的建模方法及三维集成电路电源分配网络(PDN)的建模方法,并结合PCB的电源分布网络和芯片P......
3D芯片中硅通孔（TSV）的位置分布会对总线长造成很大影响,所以对于TSV位置分布的优化有许多算法,逐层进行TSV分配只能做到局部优化.提......
硅通孔(TSV)通过缩短互连长度可实现低延迟、低功耗等目的。对应用于微光机电系统(MOEMS)集成的TSV工艺进行了研究,通过ICP-DRIE参......
使用Fluent流场仿真软件模拟了电镀液对硅通孔（TSV）的浸润过程,讨论了TSV深宽比、电镀液流速、电镀液表面张力、接触角以及压强等因......
硅通孔技术是当前在微波毫米波三维集成微系统领域的重点研究方向之一,本文基于现有的硅通孔工艺技术开展宽带毫米波垂直传输结构......
为满足更高性能、更低功耗、更小尺寸和更低成本的要求,三维集成技术对于克服互连扩展的障碍极具吸引力,被认为是下一代集成电路最......
以硅通孔(TSV)为核心的三维集成技术是半导体工业界近几年的研发热点,特别是2.5D TSV转接板技术的出现,为实现低成本小尺寸芯片系......
MEMS惯性器件的具有体积小、重量轻、成本低、可集成性强等优势。然而,高精度的MEMS惯性器件如MEMS陀螺仪、MEMS谐振式加速度计需......
提出了一种基于硅通孔(TSV)和激光刻蚀辅助互连的改进型CMOS图像传感器(CIS)圆片级封装方法。对CIS芯片电极背部引出的关键工艺,如......
传统的探针测试会对晶圆产生较大的接触应力,从而给晶圆带来物理性损伤。提出一种基于串扰耦合理论的非接触探头结构,来实现对硅通......
随着3D集成封装的发展,硅通孔(TSV)成为实现3D堆叠中最有前景的技术之一。通过通孔和微凸点实现上下堆叠IC之间的垂直电连接,先进......
硅通孔TSV发生开路故障和泄漏故障会降低三维集成电路的可靠性和良率,因此对绑定前的TSV测试尤为重要。现有CAF-WAS测试方法对泄漏......
针对硅通孔(through-silicon via,TSV)背面通孔外露工艺复杂度与成本较高、易遗留工艺隐患的问题,提出一种改进的穿硅电容(through......
硅通孔（Through-Silicon Via,TSV）技术因其能够使器件具备出色的电性能、高的封装密度以及更宽的带宽等诸多优点,被认为是3D集成的核......
近年来,微电子行业快速发展,对于电子产品的封装要求也越来越高,就促使封装行业的关键技术获得进一步改进,其中硅通孔技术的出现将......
为实现硅通孔(TSV)立体集成多层芯片可靠堆叠,对一种具备低温键合且不可逆特点的Cu/Sn等温凝固键合技术进行了研究。基于Cu/Sn系二......
提出了一种应用于3D封装的带有硅通孔(TSV)的超薄芯片的制作方法。具体方法为通过刻蚀对硅晶圆打孔和局部减薄,然后进行表面微加工......
随着电子封装持续向小型化、高性能的方向发展,基于硅通孔的三维互连技术已经开始应用到闪存、图像传感器的制造中,硅通孔互连技术......
使用ANSYS有限元软件建立简化的基于硅通孔技术互连的二维结构模型,用粘塑性本构Anand方程来描述Sn Pb钎料焊点的力学行为,针对模......
硅通孔(TSV)结构是三维互连封装的核心,针对其热可靠性问题,基于ANSYS有限元分析软件分别构建光滑和粗糙两种界面形貌的TSV结构分......
硅通孔(TSV)转接板的2.5D封装是目前产业界和学术界研究的热点技术,而TSV技术是TSV转接板制造的关键。本文研究了TSV转接板制备工......
本文基于电子元器件的制造流程,深入结合后道封装中的硅通孔(Through Silicon Via)技术,选择TSV的后通孔(Via-Last)中的深孔绝缘层......
硅通孔(TSV)能够实现信号的垂直传输,是微系统三维集成中的关键技术,在微波毫米波领域,硅通孔的高频传输特性成为研究的重点。针对......
硅通孔(TSV)是三维系统集成的关键技术和发展趋势,目前已经可以实现深宽比为10∶1的TSV结构,且向着更高深宽比方向发展。在TSV制造......
采用超声雾化喷涂技术,以AZ4620光刻胶为研究对象,以硅通孔(TSV)刻蚀后的硅片为基材,在12英寸(1英寸=2.54 cm)结构化晶圆表面喷涂......
介绍了3维封装及其互连技术的研究与开发现状,重点讨论了垂直互连的硅通孔(TSV)互连工艺的关键技术及其加工设备面临的挑战,提出了......
开展了应用于微机电系统(MEMS)封装的硅通孔(TSV)工艺研究,分析了典型TSV的工艺,使用Bosch工艺干法刻蚀形成通孔,气体SF6和气体C4F......
基于GF 8HP 0.12μm BiCMOS工艺设计并实现了一款应用于相控阵系统的具有低幅度均方根(RMS)误差的单片集成5～40 GHz 5 bit数控衰减......
对基于TSV技术的某微系统中的核心结构TSV转接板进行了研究,建立1层TSV转接板的电磁模型并进行仿真分析。其次在1层TSV转接板的基......
