硅通孔技术相关论文
针对天线柔性化设计需求,确保天线形变时工作频率稳定性,将近零介电常数(Epsilon-Near-Zero,ENZ)效应引入柔性天线设计.在分析ENZ......
本文就硅通孔技术及其非常关键的可靠性和工艺成本做一个比较详细的分析,并就该技术的使用现状及未来应用前景进行一个全面介绍.本......
CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor)图像传感器(CMOS Image Sensor, CIS)正向着高速、大像素和低成本的方向发展,近......
针对小型化和易集成的应用要求,基于硅基三维集成工艺设计了一款W波段硅基集成天线.天线为8×8阵列天线,采用硅基晶圆多层堆叠的方......
随着芯片封装向着工艺尺寸微小化、功能集成化及工作速度高速化方向的快速发展,基于硅通孔技术(Through Silicon Via,TSV)的三维叠......
硅通孔(TSV)是一种在芯片或晶圆间制作垂直导通的新技术，TSV凭借其高密度和微尺度优势成为实现3D集成的关键技术。其中，金属化填充是......
晶体管特征尺寸的不断缩小，摩尔定律越来越难以为继。特别是近年来随着超越摩尔定律的提出，系统级封装成为半导体产业未来发展的主流......
基于TSV的三维集成技术可以提供低功耗、高性能的系统解决方案,因而得到了人们越来越多的关注。硅通孔(Through Silicon Via,TSV)......
二维集成电路的发展由于物理极限的限制，面临越来越多的挑战。三维集成电路（Three-Dimensional Integrated Circuit,3D IC）的提出成为......
晶圆级芯片尺寸封装(WCSP)消除了类似传统的芯片键合、引线键合和倒装芯片贴装过程的封装工序.这种办法可以为半导体产品用户实现......
晶圆级芯片尺寸封装(WCSP)消除了类似传统的芯片键合、引线键合和倒装芯片贴装过程的封装工序.这种办法可以为半导体产品用户实现......
研究硅通孔即TSV(through-silicon vias)键合硅片的预对准边缘信息采集与处理方法;TSV硅片与标准硅片相比,有减薄、键合不同心、边......
晶圆级芯片尺寸封装（WCSP）消除了类似传统的芯片键合、引线键合和倒装芯片贴装过程的封装工序。这种办法可以为半导体产品用户实现更......
为了提高三维片上网络（3D NoC）资源内核的测试效率,对多约束下的3D NoC进行测试规划。在硅通孔（TSV）数量、功耗以及带宽约束下,分别将T......
硅通孔技术(TSV)是三维集成电路设计关键技术之一,本文从其制备、应用于系统中的性能参数及其意义、具体设计主要思路三个方面,对T......
提出了一种在单层原子芯片上实现闭合且导引中心无磁场零点的环形磁导引的新方案.芯片表面刻蚀的导线结构由同心等距三环线构成,三......
为了满足各类SMD的日益微小型化、引线的细化和窄间距化、更高密度的组装，人们已逐步实现了三维的封装硅通孔技术。它不但可以使芯......
TSV技术是实现集成电路3D封装互连、降低RC延迟和信号干扰、改善芯片传输速度及功耗的有效方法。基于TSV技术的CMP工艺主要用于通......
芯片叠层封装能够大幅提高集成度,硅通孔技术是集成电路三维封装的发展方向。但是随着封装密度增加功率密度增大,对散热的要求也愈......
硅通孔(TSV,Through Silicon Via)技术是一项颠覆性的技术,它通过在通孔内填充铜、钨、多晶硅等导电物,以实现硅通孔的垂直电气互......
随着现代科技的发展,人们对微系统的小型化、高性能、多功能、低功耗和低成本的要求越来越高,基于硅通孔技术技术的三维系统封装技......
对于堆叠器件的3-D封装领域而言,硅通孔技术(TSV)是一种新兴的技术解决方案。将器件3D层叠和互连可以进一步加快产品的时钟频率、......
集成电路要继续按照摩尔定律发展，需要寻求新的技术，而三维集成电路和硅通孔（TSV）技术引起了广泛关注。三维集成电路提供了一种新的提......
综述了基片集成波导(SIW)技术研究的现状和热点,首先分析了SIW的基本理论,包括SIW结构设计、损耗机制和频带宽度等;然后详细分析了......
