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硅通孔技术(Through Silicon Via,TSV)是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通,实现芯片之间互连的最新技术。该技术......
二维集成电路的发展由于物理极限的限制,面临越来越多的挑战。三维集成电路(Three-Dimensional Integrated Circuit,3D IC)的提出成为......
晶圆级芯片尺寸封装(WCSP)消除了类似传统的芯片键合、引线键合和倒装芯片贴装过程的封装工序.这种办法可以为半导体产品用户实现......
研究硅通孔即TSV(through-silicon vias)键合硅片的预对准边缘信息采集与处理方法;TSV硅片与标准硅片相比,有减薄、键合不同心、边......
TSV技术是实现集成电路3D封装互连、降低RC延迟和信号干扰、改善芯片传输速度及功耗的有效方法。基于TSV技术的CMP工艺主要用于通......
芯片叠层封装能够大幅提高集成度,硅通孔技术是集成电路三维封装的发展方向。但是随着封装密度增加功率密度增大,对散热的要求也愈......
硅通孔(TSV,Through Silicon Via)技术是一项颠覆性的技术,它通过在通孔内填充铜、钨、多晶硅等导电物,以实现硅通孔的垂直电气互......
随着现代科技的发展,人们对微系统的小型化、高性能、多功能、低功耗和低成本的要求越来越高,基于硅通孔技术技术的三维系统封装技......
对于堆叠器件的3-D封装领域而言,硅通孔技术(TSV)是一种新兴的技术解决方案。将器件3D层叠和互连可以进一步加快产品的时钟频率、......
集成电路要继续按照摩尔定律发展,需要寻求新的技术,而三维集成电路和硅通孔(TSV)技术引起了广泛关注。三维集成电路提供了一种新的提......
综述了基片集成波导(SIW)技术研究的现状和热点,首先分析了SIW的基本理论,包括SIW结构设计、损耗机制和频带宽度等;然后详细分析了......