化学机械平坦化相关论文
互补式金属氧化物半导体（Complementary metal oxide semiconductor,CMOS）型图像传感器,即CMOS图像传感器（CMOS image sensor,CIS）在医......
化学机械平坦化（简称CMP）是现如今唯一可实现材料表面全局或局部平坦化的关键技术,其直接影响着集成电路多层铜布线结构的发展。阻挡......
随着GLSI的高度集成化和立体化,晶体管特征尺寸的不断缩小以及新材料的引入,对CMOS晶体管性能的要求不断提高。45nm及以下特征尺寸......
在多层铜布线化学机械平坦化（CMP）过程中,阻挡层抛光是比较重要和复杂的一步,其主要涉及到Cu、Ta、TEOS等多种材料的同时去除,且还需......
集成电路现处于极大规模（GLSI）发展阶段,传统的钨插塞已经无法满足器件的性能要求,钴（Co）材料由于具有较小的电阻率以及好的沟槽填充比......
化学机械平坦化（Chemical mechanical polishing or planarization, CMP）作为目前唯一可以实现平面平坦化的工艺技术,是集成电路制造......
近几年来,随着极大规模集成电路的飞速发展,工艺技术节点降至7 nm及以下,集成电路制造工艺越来越复杂。传统的插塞金属钨由于其沉......
集成电路（IC）工艺技术是推动我国集成电路不断发展的重要基础,化学机械平坦化（CMP）是IC制造的关键工艺之一,是目前唯一能够实现全局和......
为了有效控制铜互连阻挡层化学机械平坦化(CMP)过程中产生的碟形坑和蚀坑等缺陷,研究了在低磨料下柠檬酸钾(CAK)和FA/O Ⅱ络合剂协......
随着集成电路的快速发展,集成电路器件特征尺寸不断减小,晶圆尺寸不断增大。为了提高器件的可靠性,增加其使用寿命,达到满足光刻要......
随着集成电路发展到GLSI阶段,化学机械平坦化已成为微电子领域实现晶圆全局平坦化的唯一有效方法。双大马士革工艺电镀铜后晶圆表......
随着集成电路集成度的不断提高以及技术节点尺寸的逐渐减小,多层布线化学机械平坦化（CMP）已经成为微电子领域实现晶圆全局平坦化唯一......
集成电路(IC)是实现当今社会智能化和信息化的基础,化学机械平坦化(CMP)是IC制造的关键工艺之一,是目前唯一能够实现全局和局部平......
研究了浅沟槽隔离 (STI)工艺的各主要工艺步骤 :沟槽的形成、沟槽顶角的圆滑、沟槽填充以及化学机械抛光平坦化 .使用器件模拟软件......
在低压无磨料条件下,利用碱性FA/O型螯合剂具有极强螯合能力的特性,对铜互连线进行化学机械平坦化,获得了高抛光速率和表面一致性......
金刚石磨料主要靠机械夹持力把持在金属(烧结或电镀)胎体中.由于这一弱点,在切割过程中,金刚石不可避免地会从胎体中脱落或掉出.此......
在极大规模集成电路Cu布线的化学机械平坦化过程中,抛光后表面薄膜厚度的一致性是检验平坦化能力的重要参数。从抛光过程中晶圆所......
为促进海峡两岸在平坦化技术方面的交流与合作，由中国机械工程学会摩擦学分会微纳制造摩擦学专业委员会主办、河北工业大学承办的20......
分析化学机械平坦化(CMP)耗材发展现状及趋势,推断450 mm晶圆的CMP设备及技术的迫切性;在此基础上,展望450 mm晶圆将会采用系统集......
金刚石磨料主要靠机械夹持力把持在金属(烧结或电镀)胎体中.由于这一弱点,在切割过程中,金刚石不可避免地会从胎体中脱落或掉出.此......
从空化作用和声波流作用两方面对兆声清洗的物理原理进行深入分析,研究了兆声频率及功率对空化强度、边界层厚度、声波流速等关键......
为在包括 5-methyl-1H-benzotriazole ( TTA )的不同 pH 价值的 Cu 电气化学的机械 planarization ( ECMP )的电解质和材料移动机......
金刚石磨料主要靠机械夹持力把持在金属（烧结或电镀）胎体中。由于这一弱点,在切割过程中,金刚石不可避免地会从胎体中脱落或掉出。此......
对自主研发的多羟多胺络合剂（FA/O ）在硅通孔技术（Through-silicon-via,TSV）化学机械平坦化（chemical mechanical planarization,CMP）进......
探讨了集成电路铜布线与衬底碱性化学机械平坦化关键技术与材料项目的研发背景,针对理论研究的进展进行综述,指出了项目的创新之处......
分析了铜电连接在今后晶片制造中的主导作用，阐述了铜布线的结构，即在由钽作为阻挡层及采用电镀铜形成的电连接的情况下，抛光规律符合......
终点检测是化学机械平坦化的关键技术，它决定着理想的平坦运行的停止点，在以纳米级别的控制上．终点检测尤为重要。目前主要的两种终点......
承载器作为化学机械平坦化设备的关键部件,其性能直接决定了晶圆抛光的质量。以实验的方式,分析了承载器吸附晶圆的残余真空效应,......
随着集成电路（IC）技术节点越来越严苛,对晶圆的局部和全局平整度提出了越来越高的要求,化学机械抛光技术（CMP）是满足晶圆表面形貌的关......
以带沟槽抛光垫多级粗糙间隙内的固液两相微流动为研究对象,基于计算机模拟生成多级粗糙表面,利用格子Boltzmman方法（Lattice Boltz......
在2011 IC China展会上,盛美半导体设备（上海）有限公司推出了最新的半导体制造设备——无应力抛光集成设备（the Ultra iSFP）。该设备能......
为适应极大规模集成电路(GLSI)集成度按摩尔定律飞速发展的需要,同时解决国际酸性化学机械平坦化(CMP)技术存在的多项问题,本文研......
近年来,随信息技术的迅猛发展,对集成电路性能、功耗不断提出更高的需求。在摩尔定律的推动下,集成电路的晶体管集成密度越来越高,......
综述了CMP后的晶圆测量方法，比较指出：光学干涉法适宜于测量较厚的薄膜，而椭圆偏振法精度较高，但成本高昂，适宜于测量薄的薄膜。CMP后需......
在CMP中,由于抛光垫在与其接触的晶圆边缘产生异常压力点,以及转台和承载器旋转的线速度之差在边缘处较其他点大得多,从而导致了晶......
抛光垫修整器系统是CMP设备的重要组成部分，它可以优化CMP的工艺结果，有效延长抛光垫的寿命；通过介绍抛光垫修整器装置的整体结构、机......
采用由5%(体积分数,下同)硅溶胶磨料、4%H2O2、1%FA/O型螯合剂和0.0%~2.5%多元胺醇型非离子表面活性剂组成的抛光液对铝栅表面进行......
化学机械平坦化(Chemical mechanical planarization,CMP)是集成电路制造的关键技术之一。晶圆夹持器是CMP系统的核心零部件。为研......
TSV技术是实现集成电路3D封装互连、降低RC延迟和信号干扰、改善芯片传输速度及功耗的有效方法。基于TSV技术的CMP工艺主要用于通......
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随着集成电路器件特征尺寸的持续缩小,晶圆尺寸的不断增大,为了更有效的提高器件的使用寿命和可靠性,要求晶圆表面必须实现全局平......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
在铝栅化学机械平坦化（CMP）中磨料直接影响去除速率和表面粗糙度。采用不同粒径的磨料配置抛光液对铝栅进行CMP实验,对去除速率和表......
当集成电路的特征尺寸小于0.25μm时,浅沟道隔离(STI)逐渐成为CMOS工艺器件隔离的标准工艺技术。相比较于硅石(silica)研磨液,二氧......
随着半导体集成电路的发展,特征尺寸不断缩小,集成电路制造工艺越来越复杂。化学机械平坦化是集成电路制造的关键工艺之一,是多层......
