美国Raytheon公司已能用分子束外延方法在4"硅晶片上生长HgCdTe中波红外双层异质结(MWIRDLHJ),并能用这些晶片制造高性能器件.测试......

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<正> 波兰Vigo System SA公司开发经理Jozef Piotrowski最近撰文指出,最近一两年内,无需依靠低温致冷进行工作的中波红外(3μm～5μm......

1 引言近年来,随着碲镉汞(HgCdTe或MCT)红外焦平面(IRFPA)技术的快速发展,器件对材料的电学性质、面积和均匀性等参数的要求迅速提......