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碲镉汞化合物相关论文

用分子束外延方法在4″硅衬底上生长HgCdTe并制造高性能大规格中波红外焦平面列阵

美国Raytheon公司已能用分子束外延方法在4"硅晶片上生长HgCdTe中波红外双层异质结(MWIRDLHJ),并能用这些晶片制造高性能器件.测试......

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分子束外延生长硅衬底 HGCDTE 碲镉汞化合物高性能大规格中波红外焦平面阵列红外探测

MBE生长HgCdTe材料的As掺杂退火的研究

1 引言近年来,随着碲镉汞(HgCdTe或MCT)红外焦平面(IRFPA)技术的快速发展,器件对材料的电学性质、面积和均匀性等参数的要求迅速提......

期刊

MBE生长 HGCDTE材料碲镉汞化合物半导体材料 As掺杂砷掺杂退火分子束外延生长红外焦平面探测器

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