As掺杂相关论文
As掺杂HgCdTe薄膜材料在研制高工作温度(HOT)红外探测器方面有着特殊的用途, 能够有效抑制高温下产生的复合电流。富Te液相外延中A......
随着计算机技术的发展,光电产品对半导体材料的需求进一步的增长,半导体技术迅速发展到了以GaN和ZnO为主的第三代半导体材料,由于Z......
本文利用μ-PCD载流子寿命测量系统,对采用MBE方法生长的Hg空位型中波HgCdTe P型材料和原位As掺杂激活中波P型材料的少子寿命进行......
在不采用任何金属催化剂的条件下,运用化学气相沉积法,在Si(100)衬底上制备出高取向的As掺杂ZnO纳米线阵列。样品的X射线衍射(XRD)......
采用光辅助金属有机化学汽相沉积(PA-MOCVD)法在n-SiC(6H)衬底上制备出As掺杂的p型ZnO薄膜,并制备出相应的p-ZnO∶As/n-SiC异质结......
碲镉汞材料是制造红外探测器的基础,高性能红外探测器对碲镉汞材料的要求越来越高。为了提升器件性能,必须提高碲镉汞材料的电学性......
研究了激活退火热处理过程对As掺杂碲镉汞外延材料组分的影响,实验包括不同的热处理条件以及不同厚度外延材料,并用红外透射光谱测......
采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势法,对不同As掺杂浓度FeS2的几何结构、电子结构和光学性质进行计算和讨论......
非本征P型掺杂碲镉汞材料可以有效克服少子寿命偏低等问题,提高长波和甚长波红外焦平面器件的性能。本文重点阐述了As掺杂实现p型......
利用垂直布里兹曼法制备As掺杂量分别为0、0.1、0.15、0.2、0.25及0.5的Bi2Te3晶体;利用四点探针测试仪、赛贝克系数分析系统及热......
Ⅴ族元素As在碲镉汞中具有较小的扩散系数,在非本征p型掺杂中得到广泛应用,在p-on-n型高性能探测器及双色或多色探测器应用方面优......
作为新型的宽带隙半导体材料，ZnO以其较大的带宽和高的激子束缚能自然成为人们研究的热点材料。然而，目前ZnO材料的制备还满足不了器......
ZnO是一种光电特性和压电特性相结合的直接带隙宽禁带半导体材料。ZnO的激子束缚能在室温下高达60meV,在室温下可实现高效率的受激......
采用熔融法制备了（Bi0.85Sb0.15）1-xAsx合金,用X射线衍射和电子能谱仪进行物相和组份表征,随As掺杂量的增加,晶胞体积收缩,名义掺杂......
对于MBE原位掺杂,HgCdTe的N型掺杂比较容易,而P型掺杂相对来说难度比较大。作为掺杂杂质的As表现出两性掺杂行为,在富Te的条件下生......
