SiGe/Si异质结器件以其与现有半导体集成电路工艺良好的兼容性，优异的电学和光电子学性能，在研制高速器件和新型光电子器件领域起到......

垂直腔面发射激光器(VCSEL)因具有在片测试、与光纤耦合效率高、调制速率高和功耗低等优点而极有可能成为今后中短程光网络中最有......

采用MBE技术生长应变自组装InAs／GaAs量子点微结构材料，以这种纳米尺度微结构材料作有源层制备出激光二极管，研究了材料的光致发光和......

本文用低温光致荧光(PL)谱及X射线双晶衍射方法对MBE方法生长的GaAlAs/GaAs(100)量子阱结构材料进行了测试分析.结果表明,在材料生......

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1 引言近年来,随着碲镉汞(HgCdTe或MCT)红外焦平面(IRFPA)技术的快速发展,器件对材料的电学性质、面积和均匀性等参数的要求迅速提......